1.国产射频模组再突破！锐石创芯RR88140-11荣获中国芯“优秀技术创新奖”；
2.南京市重点产业项目盘古半导体二期落地；
3.巴斯夫电子材料投资项目签约落地南京江北新区；
4.屹唐股份：子公司拟18亿元投建集成电路装备制造基地项目；
5.玄铁 C950 荣获第二十一届“中国芯”年度重大创新突破产品奖
1.国产射频模组再突破！锐石创芯RR88140-11荣获中国芯“优秀技术创新奖”
11月1日至4日，2026“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在横琴及澳门隆重举行，锐石创芯自主研发的射频模组RR88140-11荣获中国芯“优秀技术创新奖”。
“中国芯”优秀产品评选由工信部指导，中国电子信息产业发展研究院（赛迪研究院）主办，自2006年设立以来，评选坚持以应用为导向，不断创新，致力于打造集成电路产品和技术发展的“风向标”，集中呈现了我国集成电路产业在技术研发、产品迭代和市场应用等方面的发展成果。“优秀技术创新奖”旨在表彰近一年内研发成功，技术创新性强、有自主知识产权、对完善自主供应链产生效益的单款芯片产品。
RR88140-11是锐石创芯面向低空经济无人机射频前端应用推出的1.4GHz 10W高功率全集成射频功放模组，依托全国产化供应链，率先采用国产GaAs工艺实现5V供电电压条件下，输出功率达10瓦的1.4GHz图传功放模组，为低空经济中的无人机提供了更具竞争力的射频解决方案。在应用场景上，主力面向行业应用无人机（电力巡检、应急消防、测绘安防等）与专网自组网通信终端两类场景，同时也可外延至其他场景，如：FPV行业无人机、机器人集群等通信设备。
作为一家国家级专精特新重点“小巨人”企业，锐石创芯长期专注于射频前端芯片及模组的研发，致力于突破射频通信领域核心关键技术，推进射频前端产业国产化进程。公司早期以功率放大器模组产品切入市场，随后逐步突破射频开关、低噪声放大器等核心器件，并进一步向DiFEM、L-PAMiF、L-PAMiD等高集成度射频模组拓展。与此同时，公司持续布局滤波器技术平台，推进SAW、TC-SAW、ML-SAW等滤波器产品研发及制造能力建设。经过多年技术沉淀与全国产化产业链布局，公司已形成覆盖功率放大器、射频开关、低噪声放大器、滤波器、高集成度模组以及射频系统解决方案的产品平台，并在MMMB PAM、TxM、无人机射频前端模组等多个功率放大器模组细分领域实现国内领先。产品可广泛应用于智能手机、无人机、卫星通信、物联网及智能穿戴设备等场景。
从产业背景看，在射频前端国产替代进程中，高集成度模组的国产化以及以滤波器为代表的核心元器件自主可控，是打破国际厂商垄断格局的关键。锐石创芯已成功实现从Fabless向Fab-lite模式的转变，成为国内极少数实现滤波器自主研发并规模化量产的射频前端企业，为更高集成度、全国产化射频前端模组的研发与规模化量产奠定了基础。公司推出的L-PAMiD、DiFEM等产品采用完全自主设计、自主生产的滤波器，已真正实现从芯片设计、滤波器制造及其他晶圆代工到模组封装测试的全流程国产化。
这已是锐石创芯旗下产品第二次登上“中国芯”舞台————首次获奖为2022年度“优秀市场表现产品奖”，既体现了行业对其射频前端持续创新与自主研发实力的权威认可，也印证了公司在射频芯片国产化赛道上的稳步突破。从滤波器自主可控到全流程国产化模组量产，锐石创芯正以全产业链能力夯实国产替代的根基。面向未来，公司将继续深耕射频前端核心关键技术，以更高集成度、全国产化的产品矩阵，为无人机、卫星通信、物联网等新兴场景提供自主可控的射频解决方案，在射频前端国产化进程中持续贡献“中国芯”力量。
2.南京市重点产业项目盘古半导体二期落地
据江北新区规划资源消息，10 月 27 日，南京市重点产业项目盘古半导体二期征地正式获市政府批复，全流程总用时 50 个工作日，刷新江北新区征地报市审批最短用时纪录。10 月 29 日，该项目已完成全部挂牌公告前期工作，计划 10 月 30 日发布挂牌出让公告。本次项目从征地完成到挂牌公告，仅用时2天，供地手续办理时间压缩了90%，高效推动征供地联动、全链条审批协同，推动项目尽早落地。
（来源：江北新区规划资源）
今年2月，华天科技在投资者互动平台表示，盘古半导体已进入生产阶段。公开消息显示，盘古半导体先进封测项目由华天科技（江苏）有限公司控股，总投资30亿元，分两期建设，第一阶段主要建设生产厂房和相关附属配套设施，推动板级封装技术的开发及应用。2024年5月18日，华天科技投资总额30亿元的盘古半导体先进封测项目在南京浦口经开区正式签约。2024年6月30日上午，江苏盘古半导体科技股份有限公司多芯片高密度板级扇出型封装产业化项目奠基仪式在南京浦口区举行，标志着项目正式进入全面施工阶段。
3.巴斯夫电子材料投资项目签约落地南京江北新区
11月2日， 巴斯夫与南京江北新区签署投资合作协议，将在南京江北新材料科技园建设新的电子材料生产基地。
据介绍，巴斯夫是全球领先的化工企业，也是中德合资合作的标杆企业，该项目的实施将为南京集成电路和新材料产业发展提供有力支撑。
据悉，巴斯夫已在南京投资布局扬巴公司、特性化学品公司、中国数字化中心等，为南京石化产业集群建设提供有力支撑。
近日，巴斯夫集团发布2026年三季度财务数据。巴斯夫本季度业绩再次表现强劲。销售额为164亿欧元，同比增长14%。这主要得益于价格显著上涨+12%以及销量小幅提升+2%。不计特殊项目的息税、折旧及摊销前收益为16亿欧元，同比大幅增长15%，所有“核心业务”均为此作出贡献。
4.屹唐股份：子公司拟18亿元投建集成电路装备制造基地项目
10月29日，屹唐股份（688729.SH）公告称，拟通过全资子公司在北京市经济技术开发区投资建设集成电路装备制造基地项目，聚焦干法去胶、快速热处理、干法刻蚀及等离子体表面处理等设备的规模化生产，投资总额约18亿元，资金来源为自有资金及银行贷款。
同日披露的三季报，为这一扩产决策提供了积极注脚。该公司第三季度归母净利润6.77亿元，同比增长303.40%；前三季度归母净利润10.73亿元，同比增长108.04%。利润高增与产能扩张同步推进，指向一个清晰判断——屹唐股份正以盈利能力的持续改善为支撑，为产品结构从“利基冠军”向“平台型设备商”的跃迁铺设产能底座。
18亿投向哪里：三条产品线的不同使命
根据公告，这18亿元涵盖土地出让金、厂房建设及设备购置费用。项目聚焦的四类设备中，干法去胶与快速热处理是屹唐的基本盘，干法刻蚀与等离子体表面处理则是增量所在。
干法去胶是屹唐最具竞争力的品类。据Gartner统计，2025年公司全球市占率约33.7%，位居第二，仅次于比思科，前五大厂商合计份额超过90%。这一利基市场全球规模超8亿美元，格局稳定，屹唐的毛利率从2022年15%提升至2024年的27%。去胶设备的国产化率在国内已接近90%，屹唐是这一环节国产替代基本完成后的头部受益者。扩产去胶产能，逻辑不在于“替代”，而在于跟随国内晶圆厂扩产节奏，守住既有份额。
快速热处理（RTP）的壁垒更高。Gartner数据显示，屹唐全球市占率约13.8%，位居第二，仅次于应用材料。RTP设备覆盖5nm逻辑芯片及先进存储制造，是少数国产设备能在先进制程节点上参与竞争的品类之一。公司在200mm以上高端市场持续替代进口，新型低压设备研发正在推进。扩产RTP，是在国产化率尚低的先进环节提前卡位产能。
干法刻蚀则是最大的变量。全球干法刻蚀市场规模2025年预计约219亿美元，是去胶市场的二十余倍。屹唐目前全球份额仅约0.5%，排名第九。但增速可观：2019至2025年收入复合增速约59%，2024年毛利率提升至20%。刻蚀设备是半导体制造中价值量最高的核心设备之一，屹唐在这一品类上尚处于从“有产品”到“有份额”的爬坡阶段。18亿扩产中将刻蚀纳入其中，意味着公司判断这一品类已经跨过了技术验证的门槛，需要为规模化交付准备产能。
利润高增提供扩产底气，毛利率改善夯实经营底色
三季报显示，屹唐股份利润端表现强劲：第三季度归母净利润6.77亿元，同比增长303.40%；前三季度归母净利润10.73亿元，同比增长108.04%。利润高增，一方面受益于其他非流动金融资产公允价值变动收益增加，另一方面更值得关注的是主营业务毛利率的持续改善。
去胶设备供应链本土化带来的成本下降、RTP高端产品占比提升、刻蚀业务规模效应初现，共同推动主营业务盈利能力抬升。18亿扩产的决策，建立在主营业务毛利率持续改善和利润端高增提供的底气之上。盈利改善与产能扩张形成正向循环，为后续产品结构升级和规模化交付提供支撑。
设备景气高位运行，扩产是必答题
屹唐的扩产决策，放在全球设备市场的图景中看，几乎没有悬念。SEMI预测2026年全球半导体制造设备销售额将达1659亿美元，同比增长23.2%，创历史新高，增长势头预计延续至2028年的2295亿美元。中国大陆连续六年保持全球最大设备市场地位，2025年销售额约493亿美元，占全球约36.5%。
更关键的是国产化率的梯度推进。已装机设备中，国产占比从2020年前后的不足10%提升至2025年的约35%，业内预计2026年有望突破40%。去胶环节国产化率已达约90%，屹唐是这一环节格局定型后的存量赢家；热处理与刻蚀的国产化率仍在爬坡，屹唐在这两个品类上的扩产，对应的是增量替代的空间。
与此同时，“去日化”的趋势为国产设备商提供了额外的窗口。2026年一季度中国大陆从日本进口半导体设备金额同比下降10%，日系设备占比从2024年的29%降至2026年Q1的24%。日本在热处理、清洗等环节长期占据优势，屹唐的RTP设备恰好处于这一替代链条的核心位置。
总结
屹唐股份18亿元集成电路装备制造基地项目，是公司立足自身技术优势、顺应国产替代浪潮做出的战略性产能布局。项目清晰构建起分层增长曲线：以干法去胶巩固成熟赛道龙头底盘，夯实现金流基本盘；依托快速热处理（RTP）发力先进制程，抢抓高端工艺进口替代机遇；加码干法刻蚀产能建设，打通高价值核心设备赛道，打开长期成长空间。
三季度亮眼的盈利表现与主业毛利率持续改善，为本次扩产提供了扎实的经营底气；全球半导体设备景气上行、国内国产化持续纵深推进，叠加供应链重构带来的替代窗口期，共同构成公司发展的有利外部环境。随着新基地落地投产，各产品线产能有序释放，屹唐股份有望持续放大多品类协同优势，稳步完成从细分利基冠军向平台型半导体设备厂商的升级跃迁。
5.玄铁 C950 荣获第二十一届“中国芯”年度重大创新突破产品奖
11 月 2 日，以“智启芯途 协同共生”为主题的 2026 年“中国芯”集成电路产业促进大会暨第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海横琴举行。大会汇聚集成电路领域院士、专家与产业代表，共同交流技术创新与产业协同发展的新路径。
本届大会上，阿里巴巴达摩院旗下玄铁 C950 荣获“年度重大创新突破产品奖”，表彰玄铁 C950 在高性能 RISC-V 处理器领域取得的实质性技术创新突破。从上一届获评优秀支撑服务企业、RISC-V 生态推广示范案例，到此次旗舰处理器获得产品创新奖项，玄铁持续以架构创新和生态共建推动 RISC-V 产业化发展。
“中国芯”集成电路产业促进大会自 2006 年创办至今已举办二十一届，是中国集成电路领域规模最大、最具权威性的评选活动，被誉为中国芯片产业的“奥斯卡”。其中，“年度重大创新突破产品奖”是中国芯奖项中含金量最高、评选标准最为严苛的奖项，重点表彰在核心技术上实现重大突破、具备国际竞争力的标志性产品。
此次获奖是行业对于高性能 RISC-V 处理器创新成果认可的重要体现。玄铁 C950 以微架构创新、AI 扩展、多核协同、软件兼容及安全能力等方面的技术创新，为伙伴开发真正高性能的服务器与 AI 计算产品提供新的基础。不仅拓展了玄铁旗舰产品的技术边界，更是 RISC-V 领域的标志性突破，为产业提供多元化计算架构选择，推动开放架构创新与高端计算需求相连接。
旗舰突破，打造标杆产品
玄铁 C950 是面向服务器场景的旗舰 RISC-V 处理器 IP，围绕高性能通用计算与 AI 相关需求，持续完善计算、访存和系统协同能力。其创新价值在于将微架构突破与平台能力相结合，为伙伴开发高性能 RISC-V 产品提供基础。
玄铁 C950 打破了 RISC-V 长期被贴上的“低性能”标签。该处理器采用 8 指令译码、16 级流水线及超 1000 条指令乱序窗口的微架构设计，最高主频达 3.2GHz，SPECint2006 单核性能首次突破 70 分，刷新全球 RISC-V 处理器性能纪录。这一成绩意味着 RISC-V 架构首次具备在服务器级场景中与传统架构正面竞争的计算底座。
玄铁 C950 同步推出 Vector 与 Matrix 两大 RISC-V 原生 AI 加速引擎，与 CPU 核心统一编址，使通用算力与 AI 算力在同一芯片内紧耦合协同。玄铁 C950 由此首次实现 CPU 原生支持 Qwen3.8-Flash-Next、Qwen3.5-4B、Qwen3-235B-A22B、DeepSeek V4-Flash 等主流大模型运行，将 CPU 从通用调度角色拓展为可直接承载大模型推理的算力节点，把 RISC-V 的能力边界从传统通用计算推到了 AI 服务器场景。
玄铁 C950 支持 RVA23.1 全部标配及可选扩展，原生集成 CoVE 机密计算能力，提升云端多租户环境下的隔离性与资源利用率。经软硬件协同优化，其在 MySQL、Redis、Nginx 等云计算典型负载下达到业界领先水平，云网络与云存储性能较部分主流产品提升 30% 以上，表明 RISC-V 的性能突破已能直接转化为实际业务收益。
生态共进，创造产业价值
目前，玄铁处理器全系列累计出货超过 60 亿颗，客户超过 400 家，授权超过 1000 个。围绕 C950，玄铁在编译器、操作系统、兼容性测试等方面持续投入，推动 GCC/LLVM 工具链完善、OpenJDK 上游贡献、RISC-V 国际标准建设，为整个架构的生态成熟奠定基础。
玄铁的技术创新在千行百业中得到广泛应用，推动合作伙伴实现商业突破。此次与玄铁同时在“中国芯”获奖的 “Powered by XuanTie ”客户涵盖多个关键领域：
上海东方算芯科技股份有限公司，高能效软件定义近存计算 3D 芯片 DF1000，搭载玄铁 C908+C906，荣获“年度重大创新突破产品”奖；
珠海全志科技股份有限公司，高性能智慧工业 SoC 控制芯片 T536，搭载玄铁 E907，荣获“优秀技术创新产品”奖；
深圳江原科技有限公司，云端推理芯片江原 D1，搭载玄铁 C908+E907，荣获“优秀技术创新产品”奖；
重庆物奇微电子股份有限公司，高性能 Wi-Fi 路由芯片 WQ9301，搭载玄铁 E907，荣获“优秀技术创新产品”奖；
北京宏思电子技术有限责任公司，可重构算法芯片 HSRU3，搭载玄铁 E906，荣获“优秀技术创新产品”奖；
北京清微智能科技股份有限公司，可重构 AI 芯片 TX81，搭载玄铁 C908，荣获“优秀市场表现产品”奖；
珠海泰芯半导体有限公司，基于 Wi-Fi/BLE/星闪三模融合音视频无线芯片 TXW82X，搭载玄铁 E 系列处理器，荣获“优秀市场表现产品”奖；
广东匠芯创科技有限公司，基于 RISC-V 架构智慧屏显 MCU 芯片 D12X 系列，搭载玄铁 C906，荣获“芯火新锐产品”奖；
九宸微电子（杭州）有限公司，TD1601 系列高性能 RISC-V MCU，搭载玄铁 E906，荣获“芯火新锐产品”奖；
深圳市迈特芯科技有限公司，MEGA188 端侧 AI 算力芯片，搭载玄铁 E902，荣获“芯火新锐产品”奖。
这些合作伙伴共同见证了 RISC-V 架构的广泛应用价值与商业潜力。玄铁与中国半导体行业一起前行，以创新、普惠、共同发展为理念，将高性能计算能力转化为可落地的产品与解决方案，推动 RISC-V 走向更广泛的产业应用。
