在当前复杂多变的地缘政治格局下，全球半导体产业链供应链稳定面临严峻挑战。面对外部环境的不确定性，我国始终坚持走独立自主的发展道路，将科技创新作为推动国家高质量发展的核心驱动力。
在此背景下，经过长达五年的持续攻关，鑫巨半导体成功向国内某头部客户交付了首台完全自主研发的电化学沉积设备（ECD），并用此台设备完成了量产需求下的高良率小批量生产，此举标志着我国在高端半导体关键工艺装备领域实现重大突破。尤为值得强调的是，该设备及其配套的VCL刻蚀设备，均由鑫巨半导体自主完成研发，其中软硬件均全部自研，技术路线与应用方向均属于全新突破，充分彰显了我国在高精度半导体装备领域的技术底气与创新活力。
本次交付的ECD设备将应用于下一代先进封装的核心载体——玻璃基板。随着摩尔定律逼近物理极限，芯片性能提升路径正逐步从“制程微缩”转向“封装革命”。玻璃基板凭借其超低翘曲度、超高表面平整度以及优异的高频电学特性，成为2.5D/3D集成、芯粒（Chiplet）互连的理想选择，可实现互连密度提升10倍、功耗降低30%，为AI训练与推理芯片、高带宽存储（HBM）、光子集成等高端器件提供关键支撑。值得一提的是，该ECD设备在玻璃基板制造中的精度控制，是目前AI芯片载体加工中难度最高、最为关键的制造工艺环节。
该设备在技术上具备高度兼容性，支持12英寸圆形玻璃芯片以及310×310mm、515×510mm、610*610mm等大尺寸方形玻璃基板，具备RDL 2微米线宽/线距与TGV 深孔填充1:20深宽比的量产稳定性，技术指标达到国际先进水平，部分关键性能甚至优于国外同类产品。这标志着中国半导体产业链在“玻璃基板新赛道”上，首次具备与国际巨头同步竞争、甚至实现局部领先的能力。
从底层架构到控制系统，从工艺模块到整机集成，鑫巨半导体坚持完全正向开发，建立起完善的核心技术体系和自主知识产权布局，真正实现了从“0”到“1”的跨越。这一成果不仅夯实了我国高端装备制造的自主根基，也为产业链供应链安全提供了有力保障。
纵观我国科技发展历程，从“两弹一星”到载人航天，从北斗组网到5G突破，每一项重大成就的取得，无不是在外部压力下依靠自主创新实现的。今天，以鑫巨半导体为代表的中国科技企业，在关键半导体装备领域再次实现了历史性突破，进一步印证了“核心技术买不来、讨不来”的现实，也更加坚定了我们走自主创新道路的决心。
面向未来，鑫巨半导体将继续秉持开放合作的理念，深化与国内外产业链伙伴的协同创新，积极参与国家重大技术攻关，持续打造更多具有自主知识产权的高端半导体装备，为构建安全、可控、先进的半导体产业生态贡献更多力量。
