天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“MEMS结构及其制造方法”的专利，授权公告号为CN109678102B，授权公告日为2024年7月19日，申请日为2018年12月28日。
本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成敏感膜片；以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻；其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。该方法采用不均匀厚度的敏感膜片，使得压力集中于连接部以提高灵敏度。
