三星与新思科技合作，为2nm工艺量产做好准备

新思科技（Synopsys）宣布，其设计流程工具和IP已经为三星晶圆代工厂的2nm制造工艺做好准备。三星近日同时宣布，将于2025年量产2nm制程半导体芯片，并表示该工艺将在2027年进一步完善。新思科技的EDA设计工具已通过三星2nm GAA工艺认证。

根据官方介绍，新思科技的EDA套件可改善三星晶圆代工2nm GAA工艺节点的模拟设计迁移、PPA（面积效率、性能和能效）和生产率。新思科技利用人工智能（AI）来协同优化，帮助三星提高2nm工艺的面积效率、性能和能效。

新思科技的DSO.ai、ASO.ai工具已成功从FinFET迁移到GAA架构，这意味着客户可以顺利将旧有的FinFET芯片设计迁移至新的2nm GAA工艺。

芯片公司可以利用新思科技的工具开发新的芯片设计技术，包括背面供电布线、局部布局效应感知方法和纳米片单元设计，从而提高SF2工艺的效率和性能。三星表示，SF2Z工艺节点可进一步提高性能、功耗和密度（提高20%）。

新思科技同时透露，该公司的UCIe IP已被用于三星SF2和SF4x工艺节点生产芯片。此外，相同的DTCO解决方案还将用于优化三星的1.4nm工艺节点（SF1.4）。

（校对/孙乐）