传SK海力士拟斥40亿美元在印第安纳州盖先进封装厂

知情人士消息报导，英伟达 (NVDA-US) 供应商韩国的 SK 海力士 (SK Hynix) 计划投资 40 亿美元在美国印第安纳州盖一座先进芯片封装工厂。此举将推动拜登政府恢复美国半导体大国的雄心壮志。

据悉，SK 海力士的工厂毗邻普渡大学 (Purdue University)，预料将创造约 800 至 1,000 个工作机会，而普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程计划的所在地之一。此外，SK 海力士料将获得州和联邦税收优惠以及其他形式支持，提供资金助其建厂计划。

知情人士表示，该厂可能在 2028 年开始运作，SK 海力士董事会很快会就建厂计划进行投票，完成此决定。值得注意的是，SK 海力士也曾考虑亚利桑那州建厂，该州芯片产业蓬勃发展，台积电 (2330-TW) 和英特尔 (INTC-US) 都在该州设厂。不过知情人士说，印第安纳州最终被选中，部分原因是普渡大学可以提供大量熟练的工程师。

对于上述报导，SK 海力士发言人表示，公司正在审查在美国先进芯片封装投资，但尚未做出决定。英国《金融时报》(FT) 也曾报导 SK 海力士要在印第安纳州盖芯片封装厂的消息。

先进芯片封装是半导体生产的最后一步，也是拜登政府《美国芯片法案》(U.S. Chips Act)的一个关键方面，该法案拨出至少约 30 亿美元用于扩大此类国内生产。企业向美国商务部申请补助的截止日期是 4 月 12 日。美国商务部网站上写道：“例如，如果没有先进封装，人工智能 (AI) 是不可能有最新进展的”。

芯片产业顾问公司 SemiAnalysis 首席分析师 Dylan Patel 表示：“SK 海力士工厂将成为美国第一家大规模 HBM 封装的主要工厂。”他说，同样值得注意的是，这笔投资来自该行业领先的 HBM 供应商。

HBM 是利用先进的封装技术和材料，将单一 DRAM 芯片堆叠在一起并融合在一起的顶尖技术。 SK 海力士的下一代 HBM3E 可以在一秒钟内处理相当于 230 部高清电影的数据，这大大扩展一次处理的数据量。

根据 SemiAnalysis 的最新估算，以存储器 Gigabyte(GB)计算，SK 海力士约占 HBM 市场的 73%，三星电子约占 22%，总部位于爱达荷州的美光 (MU-US) 约占 5%。SK 海力士目前在韩国生产和封装其 HBM 芯片。

芯片产业顾问公司 International Business Strategies 的执行长 Handel Jones 说，预估 SK 海力士在美国建造封装工厂的成本将比在韩国建造类似工厂高出约 30% 至 35%，不过美国政府的资金将有助于抵消部分增加的成本。