华虹宏力“ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法”专利获授权

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天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法”的专利,授权公告号为CN113506756B,授权公告日为2024年4月23日,申请日为2021年6月28日。 

本发明公开了一种ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法:步骤一,ONO层生长,完成后整体的ONO层厚度为原目标厚度值+d;步骤二,湿法清洗步骤,目标刻蚀量为c;步骤三,测量ONO层的整体厚度,ONO层厚度测量值为b;步骤四,根据步骤三中计算出的刻蚀最终目标值选择相应的栅氧化层生长前的清洗工艺,栅氧化层生长前清洗工艺的刻蚀量=b最终ONO膜厚目标值;步骤五,栅氧化层生长;步骤六,生长制作栅极的多晶硅层。本发明针对ONO层中最顶层的HTO氧化层的工艺参数进行调整,在淀积形成ONO层时使形成的最顶层的HTO氧化层的实际厚度比设计目标厚度略高一些,减小淀积厚度误差以及清洗、湿法刻蚀误差所累积带来的误差问题。


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