天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构的形成方法”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118382298A。
本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑区和存储区，所述存储区包括字线区；在所述存储区上形成初始字线栅层；在所述初始字线栅层的顶部表面和所述逻辑区的所述衬底的表面形成初始栅氧层；对所述初始栅氧层进行热氧化处理，形成栅氧层，所述初始字线栅层表面的所述栅氧层的厚度大于所述逻辑区的所述衬底表面的所述栅氧层的厚度；在所述逻辑区的所述栅氧层的表面形成栅极层；刻蚀去除所述存储区的所述栅氧层以及所述栅氧层底部的部分所述初始字线栅层，在所述字线区的表面形成字线栅层，在形成字线栅层的过程中，栅氧层作为硬掩膜层，由于初始字线栅层表面的栅氧层的厚度变厚，从而在刻蚀的过程中能够表现出很好的阻挡性和稳定性，从而保证字线栅层的高度，提升字线栅层的高度均匀性，并且增加了字线区刻蚀的窗口，可以降低编程串扰失效，具有较广泛的使用范围。
