12月2日，晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州举行。项目位于纳米城E地块，总建筑面积23443.27平方米，建成后将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。
图片来源：苏州工业园区
苏州工业园区消息显示，晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延材料领军企业，申请专利近400项，授权近百项。2014年率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片；2021年9月，晶湛半导体全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片。
此前消息显示，晶湛半导体拟投资2.8亿元进行异地扩建，在苏州工业园区百川街西、南荡田巷北自购土地建设新厂区，建成后年产氮化镓外延片24万片。其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器。项目预计2021年11月开工建设，2023年2月完成建筑施工。（校对/若冰）
