新微半导体“一种半导体器件及其制作方法”专利公布

天眼查显示，上海新微半导体有限公司“一种半导体器件及其制作方法”专利公布，申请公布日为2024年12月13日，申请公布号为CN119132952A。

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括步骤：提供一器件层；形成介质层于器件层上方；形成场板于介质层上方，场板包括第一场板层及第二场板层，第一场板层包括硅层和连接于其外围的氧化硅层且氧化硅层上表面的至少一部分沿着背离硅层的斜向延伸的氧化硅层，第二场板层包括第一金属和连接于其外围的第二金属，且第二金属的延伸方向与氧化硅层上表面的延伸方向一致。该制作方法通过形成包括第一场板与第二场板层的叠层场板且第二场板层包括斜向延伸的第二金属而呈类倾斜场板结构，利用场板实现高电场调制能力的同时保持高介质击穿电压，兼具高工作性能与高可靠性，整体工艺步骤与现有工艺兼容。