新微半导体“一种半导体功率器件及其制作方法”专利公布

作者：爱集微 2024-12-29

来源：爱集微 #新微半导体#

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天眼查显示，上海新微半导体有限公司“一种半导体功率器件及其制作方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969754A。

本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，该半导体功率器件包括器件层及顶部金属层，其中，器件层形成有在第一方向上排列的多个器件单元，顶部金属层位于器件层上方并与之电连接，顶部金属层包括分立设置的至少一漏极引出端、多个源极引出端及多个栅极引出端，源极引出端位于多个栅极引出端构成的第一区域内，漏极引出端的至少一部分位于多个源极引出端构成的第二区域内，第一区域及第二区域均关于第一方向对称。该半导体功率器件通过顶部金属层的对称式布局设计，显著降低在板级并联应用中驱动回路到各个器件的环路面积，更好地实现均流，便于板级并联应用，同时电流流经器件内部时电流路径紧凑，降低寄生电感，进而降低器件的功率损耗。