天眼查显示，上海新微半导体有限公司近日取得一项名为“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”的专利，授权公告号为CN113380884B，授权公告日为2024年6月4日，申请日为2021年6月8日。
本发明提供了一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件的栅极包括：栅脚，所述栅脚位于HEMT器件的源极与漏极之间，所述栅脚至少是两排；栅帽，所述栅帽位于所述栅脚上方，并与所述栅脚连接。本发明提供的栅极包括至少两排栅脚，增加了栅极下方沟道内的电子散射路径，降低了电子能量，减少了热电子数量，抑制了热载流子效应，提高了HEMT器件的线性度。
