1.贝恩资本和东芝就铠侠IPO日期展开激烈争论
2.与SBI合作破裂 黄崇仁：并非力积电不守信用
3.Hemlock将获美《芯片法案》3.25亿美元拨款，用于建设密歇根芯片材料工厂
4.英伟达RTX 5090 GPU在印尼工厂成功启动
5.10月前20天韩国半导体出口额大增36.1%，至71亿美元
6.三星考虑重新设计1a DRAM，提高HBM质量
1.贝恩资本和东芝就铠侠IPO日期展开激烈争论
内存芯片制造商铠侠在日本股市的首次亮相时间仍悬而未决，因为其主要股东贝恩资本和东芝在上市时间问题上存在分歧。
铠侠于8月23日申请在东京证券交易所(TSE)上市。目标是在10月底之前进行首次公开募股，目标估值在1.5万亿日元至2万亿日元（100亿美元至133亿美元）之间。
但情况在9月底发生了变化。据铠侠的一位高管称，主承销商进行的一项投资者需求调查显示，上市时的市值将低于1万亿日元。
贝恩资本间接拥有铠侠56%的股份，而前母公司东芝持有41%的股份。据知情人士透露，东芝希望尽快上市，但更注重估值的美国私募股权公司决定推迟IPO。
铠侠此前已于2020年获准在东交所上市，但由于中美紧张局势给全球半导体市场带来不确定性，其IPO被推迟。当时，其基于临时条款的估值超过1.5万亿日元，约合当时的140亿美元。
这次，铠侠也寻求类似的1.5万亿日元估值，但日元与四年前相比有所走弱。不到1万亿日元的估值将低于67亿美元，约为2020年预期水平的一半。
根据2020年的证券文件，铠侠每年向贝恩支付10亿日元的管理咨询费。考虑到整体市场环境，贝恩似乎倾向于等到铠侠的估值前景改善到至少1.5万亿日元。
东芝宁愿避免以低价出售其王牌宝石之一。但情况正在迫使它套现。
去年12月，东芝被收购基金Japan Industrial Partners牵头的财团收购，随后私有化。银行为此次收购提供了1.2万亿日元的贷款。
融资协议中的一项条款规定，截至2025年3月的财年结束时，现金和现金等价物必须超过一定水平。JIP和东芝需要手头有现金才能推进重组计划。
“铠侠上市带来的收益当然已经计入了债务偿还计划中。”东芝内部人士表示。
铠侠估值问题的背后是对生成式人工智能热潮的怀疑。这种降温的情绪体现在美国芯片制造商英伟达的股价上，该股在强劲上涨后失去了动力。另一家大型芯片制造商三星电子的股价也大幅下跌。
铠侠的业务结构也引发了投资者的担忧。该公司的核心业务是NAND闪存，而非DRAM内存，后者的需求正受到AI数据中心的推动。
“铠侠错过了这波浪潮。”一家日本资产管理公司的基金经理表示。
2.与SBI合作破裂 黄崇仁：并非力积电不守信用
力积电（PSMC）与日本金融公司SBI Holdings的半导体合资企业（JSMC）协议最近破裂，力积电董事长黄崇仁10月22日表示，主要是日本硬性要求力积电要保证JSMC运营10年，力积电无法承担责任，且合作的SBI并未提供JSMC运营计划，并不是力积电不守信用。
9月底，力积电表示，董事会已确认停止日本新厂合作计划，并派员前往经产省向主管官员说明，亦已发函告知SBI。与SBI合作案为Fab IP模式，力积电提供建厂顾问、人员培训以及技术移转，并向合作方日商收取服务费、权利金。力积电并无入股主导新厂运营的规划。
对此SBI社长北尾吉孝发文表示，力积电是一家不诚实的公司。SBI控股社长在批评中指出，力积电在与SBI控股的合作过程中，存在诸多不诚信的行为。这些行为包括但不限于：在合同履行过程中擅自变更条款、隐瞒关键信息、以及对待合作伙伴的态度不诚恳等。这些行为不仅损害了SBI控股的利益，也严重破坏了双方之间的信任基础。
黄崇仁指出，董事会决定放弃日本合作案主要有两个原因，首先是力积电合作的SBI是财务公司，日本政府要求力积电要保证JSMC运营长达10年，而力积电不能为没有股权投资的JSMC提供保证。此外，SBI并未提供JSMC新厂筹资及营销等运营计划，力积电无法进行投资评估，也是日本合作案破裂的原因之一。
黄崇仁说，力积电在印度的合作案主要是协助塔塔集团建厂，并不投资，估计可获得200亿元新台币收入，未来希望通过塔塔进入印度市场，是一个重要里程碑。
黄崇仁表示，力积电在日本合作案破裂，在印度有不错进展，主要是因为两国政府态度与要求不同，尊重日本政府立场。
3.Hemlock将获美《芯片法案》3.25亿美元拨款，用于建设密歇根芯片材料工厂
Hemlock Semiconductor公司有望获得3.25亿美元的美国政府拨款，用于支持其密歇根工厂的扩建，该公司计划在该工厂增加一种关键芯片制造材料的生产。
Hemlock是美国唯一一家超纯半导体级多晶硅生产商，而多晶硅是晶圆的核心原料，是现代电子产品的基础。美国商务部宣布，2022年《芯片法案》的拨款将支持Hemlock在密歇根州萨吉诺县的园区内建造一座新工厂。
该地点位于一个竞争激烈的地区，该地区可能决定11月的总统选举。在唐纳德·特朗普（Donald Trump）于2016年赢得大选，这也是共和党几十年来首次在该州取得支持，之后，总统乔·拜登（Joe Biden）在2020年以微弱优势赢得了这个民主党长期以来的大本营的支持。
密歇根州州长Gretchen Whitmer和参议员Gary Peters等密歇根政界人士强调了Hemlock的投资如何与五大湖区更广泛的制造业繁荣相匹配，包括电动汽车、电池以及传统基础设施。Gretchen Whitmer表示，Hemlock预计将在该项目上投资超过8亿美元，创造约180个制造岗位和1000个建筑岗位。联邦拨款中包括专门用于劳动力培训的500万美元。
美国商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示，台积电和英特尔等先进的芯片制造商都依赖于Hemlock生产的硅，它们各自都在争取联邦政府的资助。她说：“当世界领先的人工智能（AI）和技术公司从芯片公司购买芯片时，他们也将获得美国制造的芯片，这些芯片使用的是密歇根州生产的美国制造的多晶硅。”
拜登政府已经从《芯片法案》390亿美元的拨款中拨出360多亿美元，该法案的目的是在半导体生产转移到亚洲数十年后，力图将半导体生产带回美国国内。大部分资金用于芯片制造商，但也有少数初步拨款用于供应链的其他环节，包括材料。
在项目激励宣布之后，Hemlock将在签署最终条款之前进行尽职调查，然后获得与具体项目里程碑挂钩的部分拨款。几乎所有获得美国《芯片法案》资助的公司都还在尽职调查阶段。
拜登政府面临着资金到位的压力，并表示有意在今年底前完成拨款。但总统大选给企业带来了一些不确定性，因为这些企业与拜登政府官员就协议进行了谈判，但可能要等到新政府上台后才能敲定这些文件。
美国《芯片法案》规定，根据具体的项目时间和拨款里程碑，预计资金将分几年支付。在某些情况下，这些公司已经达到了获得大笔资助的门槛，但在最终的拨款命令到位之前，他们不会真正收到资金。
4.英伟达RTX 5090 GPU在印尼工厂成功启动
一段曝光视频展示了据称是英伟达即将推出的GeForce RTX 5090在工厂中启动的情况。
视频镜头显示左侧有大量生产线调试系统，其中一个成功启动了Windows系统。看到这一幕，工人们欢呼雀跃，因为这可能是RTX 5090的首次启动之一。看来RTX 5090已经完成验证阶段，即将进入批量生产阶段。
美国的制裁可能将影响RTX 5090的对华销售，因为处理能力超过RTX 4090D的GPU已被禁止出口。据报道，为了将损失降至最低，索泰已在印度尼西亚巴淡岛建立了一家工厂，以保持供应线畅通。
从目前的情况来看，RTX 5090似乎使用单个电源连接器，消除了有关需要双16针连接器的传言。RTX 5090冷却器比RTX 4090略大，但差别不大。传闻中的RTX 5090可能属于索泰ZOTAC GAMING系列，采用三风扇布局，可能采用3或4插槽设计。
根据最近的传言，英伟达RTX 5090将由GB202芯片驱动，通过512位内存接口承载超过20000 个CUDA核心以及32GB GDDR7内存。预计英伟达将于明年1月在CES 2025上发布GeForce RTX 50（Blackwell）系列。
5.10月前20天韩国半导体出口额大增36.1%，至71亿美元
周一的数据显示，由于对汽车和石油产品的需求下降以及工作日减少，韩国10月份前20天的出口额同比下降了2.9%。
韩国关税厅的数据显示，10月1日至20日期间的出境货运量达到327.7亿美元，而去年同期为337.4亿美元。不过，单日出口额同比增长了1%，达到26.2亿美元。今年同期的工作日为12.5天，而去年同期为13天。
在此期间，进口同比下降10.1%，为337.6亿美元，贸易顺差为10亿美元。
韩国政府数据显示，9月份出口同比增长7.5%，达到587亿美元，连续第12个月实现增长。
自去年年底以来，在经历了长达一年的低迷之后，出口带动了韩国整体经济的复苏。
在10月份的前20天里，半导体出口额猛增36.1%，达到71亿美元。在上述期间，半导体出口占全国出口总额的21.7%，在行业周期回升的背景下，比去年同期增长了6.2个百分点。
然而，汽车出口下降3.3%，为31.9亿美元，汽车零部件出口下降2%，为10.3亿美元。
钢铁产品的销售额下降5.5%，为22.4亿美元；石油产品的出口额下降40%，为21亿美元。
按地区划分，对中国大陆的出口额为72.4亿美元，增长1.2%；对美国的出口额为56.2亿美元，下降2.6%。对越南的出口增长1.1%，达到31.9亿美元，但对欧盟的出口下降8.9%，为31.6亿美元。对中国台湾的出口猛增90%，达到19.2亿美元，而对日本的出口则下滑12.6%，降至145亿美元。
韩国政府预计今年出口将增长9%，达到7000亿美元以上，创历史新高。
6.三星考虑重新设计1a DRAM，提高HBM质量
三星电子正遭遇重大挑战，尤其是在半导体业务方面。除了代工业务停滞不前外，其在高带宽存储器（HBM）领域的竞争力也令人担忧。业内消息称，三星可能会重新设计部分1a DRAM电路，以增强其HBM竞争力。
据报道，三星最初计划在2024年第三季度开始向英伟达供应HBM3E。然而，其8层产品尚未通过质量测试，12层产品可能会推迟到2025年第二或第三季度。
专家认为，三星无法通过测试的主要原因是其DRAM存在问题。由于高带宽存储器（HBM）垂直堆叠多个DRAM芯片，其性能在很大程度上取决于底层DRAM技术。
2020年，三星成为首家在DRAM制造中引入EUV（极紫外）技术的公司。然而，一些分析师猜测，三星HBM3E面临的竞争力挑战可能与1a DRAM关键组件有关。10nm级DRAM经历了从1x、1y和1z到1a、1b的迭代。三星于2021年下半年开始量产1a DRAM，在五层中采用了EUV技术，而其竞争对手SK海力士仅在一层中采用了EUV。
然而，这种方法似乎没有达到预期。在DRAM生产中使用EUV降低了大规模生产过程中的工艺稳定性，从而无法实现预期的成本降低。
此外，三星的DRAM（尤其是用于服务器的DRAM）设计似乎并不是最理想的，这也是该公司在这一应用领域推出DDR5的时间晚于竞争对手的原因之一。2023年1月，SK海力士率先获得英特尔认证，并推出了基于其1a DRAM的服务器DDR5产品。
三星推迟为英伟达量产HBM3E引发了有关重新设计其1a DRAM的讨论。报告显示，三星的8层HBM3E的数据处理速度比SK海力士和美光的产品低约10%。
据报道，为了在服务器DRAM和HBM领域恢复竞争力，三星正在考虑进行战略调整，以改进其DRAM产品。尽管尚未做出最终决定，但有关重新设计部分1a DRAM电路的内部讨论仍在进行之中，这种方法存在重大风险。
近日，三星设备解决方案（DS）部门主管Jun Young-hyun在公布公司2023年第三季度初步业绩时罕见地作出道歉，因为该业绩低于市场预期。他强调，管理层应承担全部责任，领导团队将采取行动克服危机，重新崛起。
三星能否通过HBM3E质量认证或放弃该项目，可能取决于其重新设计部分1a DRAM电路的决定。如果进行重新设计，可能至少需要6个月的时间，最早可能在2025年第二季度开始量产。不过，即使重新设计工作进展顺利，考虑到当前的市场条件，确保及时供应产品仍将是一项挑战。
