ASML推出高数值孔径极紫外光光刻（High-NA EUV）设备，并拼2026年量产。 ASML昨（6）日表示，所有EUV客户都在研发阶段下单。法人看好，新设备后续出货，随先进制程推进，ASML概念股家登、崇越、华立、闳康都等可望受惠。
ASML大客户台积电率先将极紫外光光刻（EUV）设备导入7纳米量产，不过台积电业务开发资深副总经理暨副共同营运长张晓强今年公开表示“喜欢High-NA EUV的能力，但不喜欢标价”。台积电计划今年采购高数值孔径EUV，但以研发用途为主，尚未导入生产。业界预估，高数值孔径EUV售价超过4亿欧元（约新台币141亿元），价格不斐。
ASML计划今年出货至少5-6台高数值孔径EUV，英特尔今年4月喊出采购首台高数值孔径EUV并组装完成，预计于2027年启用、用于14A 制程。台积电确定今年至少采购一台，SK海力士计划明年导入，三星原先计划明年取得，希望今年底研发部门就能买进。
High-NA EUV产品管理副总裁Greet Storms 昨日面对「高价」议题，巧妙回应「相信客户很会议价」。她表示，ASML持续发展新的技术，每个EUV客户在研发阶段都看中高数值孔径EUV，也都已下单。2026年希望能够推动量产，但仍看客户制程成本等总体考量。
据了解，高数值孔径EUV已于去年底开始陆续出货，预计每小时可曝光超过185片晶圆，支援2纳米以下逻辑芯片及相似晶体管密度的存储芯片量产。
ASML强调，在先进制程芯片制造中导入高数值孔径EUV产品，可简化制程工序、减少光罩数量，达到产能和良率提升，减少制造每片晶圆的能耗。估计在先进制程中导入包括EUV 和高数值孔径EUV，2029年生产每一片晶圆使用的100度电，实际为整体制程节省200度电。根据ASML 2023年报，从2018年到2023年，EUV曝光每片晶圆能耗减少近40%，希望到2025年再减少30-35%的能耗。
