【缓解】集微咨询韩晓敏：明年起SiC短缺缓解，2028年中国市场规模有望超400亿元

1.集微咨询韩晓敏：明年起SiC短缺缓解，2028年中国市场规模有望超400亿元

2.业界：下半年NAND供应短缺 三星西安厂升级至八代V-NAND

3.机构：预估Q3 NAND闪存合约价涨幅收敛至5%~10%

4.软银海外融资18.6亿美元，持续发力AI

5.晶合集成亮相集微半导体大会，围绕55/40nm制程产品加速扩充产能

6.聚焦光刻胶产品自主可控 徐州博康重磅亮相第八届集微半导体大会

1.集微咨询韩晓敏：明年起SiC短缺缓解，2028年中国市场规模有望超400亿元

6月28日-29日，以“跨越边界 新质未来”为主题的2024第八届集微半导体大会在厦门国际会议中心酒店隆重召开。作为本届大会重要的亮点环节，“第二届集微半导体制造大会暨产业链突破奖颁奖典礼”同期举行。

制造大会紧扣快速推动中国半导体制造技术的共同目标，旨在搭建半导体制造领域的交流平台，以“独立演讲+圆桌讨论+奖项颁发+榜单发布”形式，发挥半导体制造大会的载体作用和平台影响，展示设备材料企业的突出成就，促进设备材料与制造封测上下游之间的深度对话，探讨“卡脖子”痛点及突破之道，助力半导体制造国产化提速。

分享环节中，集微咨询咨询业务部总经理韩晓敏聚焦新一代功率半导体创新与应用，并带来《SiC产业发展分析》主题分享。

2028年SiC器件市场规模有望超400亿元

SiC产业链分为上中下游三个环节，上游包括衬底和外延的生长，中游包括设计制造、下游是应用环节，主要是功率电子市场，包括轨道交通、光伏逆变器、新能源汽车以及消费类电子等。韩晓敏分析认为，从各环节价值来看，材料端（衬底、外延）占比近一半，但随着材料环节向着8寸等方向的进展，材料端价值占比将会逐年降低，预计将从2023年的48.5%降至2028年的35.6%，而“设计+制造”环节价值量占比有望从2023年的41.2%提升至2028年的50%。

市场规模方面，经集微咨询测算，2022年中国SiC器件市场规模约90亿元，2023年约130亿元，主要的增长动力来源于新能源汽车，包括新建大功率直流充电桩等需求，其中，新能源汽车市场规模约为88.4亿元，充电桩市场约为24.5亿元，风光储及工业电源分别为9.75亿元、6.5亿元。

未来随着大范围应用于光伏、工业电源及轨道列车等领域，包括5G基建电源、数据中心及工业互联网等服务器电源、特高压柔性输电、城际轨道交通、高铁等领域，SiC器件市场规模将快速增长，预计到2028年超过400亿元，新能源汽车及充电桩市场仍是主要应用领域，市场规模预计分别为295.4亿元、61.1亿元。

韩晓敏分析认为，SiC功率半导体首先在高性能车型C级别中取得应用，然后逐步渗透到B级车和部分A级轿车，特斯拉新一代车“SiC+IGBT”使用方案的提出，也将带动SiC在A级车市场的渗透率。

SiC材料端方面，2023年6英寸N型衬底约780美元/片，批量订单中8英寸衬底价格是6英寸价格3倍，预计2026年8英寸衬底价格下降至1800美元/片，8 英寸SiC晶圆优质裸片的产量是6英寸SiC晶圆的1.8~1.9倍，可使衬底成本降低30%左右。

2022年全球衬底市场前五供应商分别为Wolfspeed、Coherent（原II-VI）、Sicrystal（2009年被Rohm收购）、天科合达、SK Siltron，目前由于没有大批量的8英寸衬底产品供货，伴随下游需求爆发，从2022年开始国际产能供不应求，衬底订单持续饱满。

据集微咨询统计分析，2023年全球SiC衬底总需求(折算6英寸)约120万片，有效产能约95万片(折算6英寸)；得益于新建产线逐步开始释放产能，预计到2025年全球衬底需求约250~300万片，而全球有效产能为300万片，紧缺状态将有所缓解。

外延片方面，国际供应商大多是IDM环节的延伸，主要企业有Wolfspeed、Coherent、昭和电工（Resonac）等；国内市场外延环节以单环节为主，企业数量虽然不多但规划产能较大，集微咨询分析认为，若规划产能全部落地，预计到2025年基本能完全满足国内市场对SiC外延片的需求。

目前国内外厂商主要采用外延设备基本相同，外延制备技术水平差距不大，尤其在中低压以下应用领域的SiC外延材料产业化制备技术方面差距较小。值得注意的是，国内企业逐步开始有设备供货，包括中电科48所等。

2025年底国产SiC芯片开始上车

韩晓敏进一步分享了SiC器件端产业进展情况。

目前国内设计/制造企业产品大多以低利润的SBD产品为主，主要应用在光伏、工业电源等领域，由于市场渗透加快，国外产品供给不足，为国产替代赢得机会，以三安、积塔等为代表的IDM和代工企业，经过前几年积累，逐步攻克SiC MOSFET制造工艺，纷纷加快MOSFET量产进程。

与此同时，国内设计企业产品已经在和车企联合做下一代车型的产品上车验证工作。预计到2025年年底，清纯科技、派恩杰、飞逞、瑶芯微、积塔(代工厂)、芯联集成(代工厂)等国产芯片开始正式上车，同时8英寸产品逐渐开始量产，也会加速降价。

全球市场方面，据集微咨询不完全统计，全球已有超过50家公司活跃在SiC产业链各环节，国际企业大多对产业链进行多环节部署，传统硅功率器件龙头制造商也都活跃在SiC领域，2023年与SiC相关的扩产项目以及预期资本支出加起来总金额已超千亿元。目前基本已经完成各领域的垂直整合，更大力度在材料及晶圆的生产制造端进行投资扩产，主要围绕衬底、外延、器件进行，应用方向也以电动汽车为主。

国内企业也在积极探索SiC的产业化发展，加速形成完整的产业链结构，主流企业持续扩产布局，产业进入扩张期，以产能扩充为主要特征。各企业在抢占第三代半导体上游供应资源的同时，产业链合作水平不断提升，地缘政治加速了国产替代进程。

最后，韩晓敏表示，国内设计企业发展将从模组厂开始投资建设产线，再逐步投资建设晶圆产线，转IDM模式，与国内发展较好的代工厂深度绑定这两条发展途径。

2.业界：下半年NAND供应短缺 三星西安厂升级至八代V-NAND

据业内人士透露，人工智能（AI）加速发展的背景下，数据中心对大容量固态硬盘（SSD）的需求正快速扩大，今年下半年可能会出现NAND供应短缺。

消息人士指出，与惨淡的消费电子产品类别相比，企业级存储却出现了强劲增长。目前世界各地都在兴建数据中心，前几年典型的存储容量在4TB~8TB之间，然而从2024年开始，存储容量大幅增加，设备可提供16TB、32TB乃至128TB的选择。

业界指出，目前NAND晶圆价格已从之前的价格低点翻了三倍，预计在2025年之前，NAND闪存价格都将居高不下。

最重要的迹象是，四大存储芯片制造商：三星、SK海力士、美光与铠侠，都表示第三季度后NAND产量将不足。知情人士透露，考虑到企业级存储和数据中心的巨大需求，这些主要的NAND闪存制造商对降价犹豫不决。

此外，NAND大厂过去两年削减了资本支出，明年将不再新建工厂。未来NAND整体供应将受限，因此供应商能够维持相对较高的价格。

三星西安工厂升级至第八代V-NAND

据业内知情人士透露，三星电子位于西安的工厂，在转向第八代V-NAND工艺方面取得重大进展。三星目前已向数据中心客户和手机制造商提供由三星西安厂制造的第八代V-NAND样品，以进行验证。已有传言称，该工厂已为客户（主要是数据中心领域的客户）预留2025年产能。

随着三星推动3D NAND工艺升级，几乎所有主要客户都已完成向最新工艺技术的过渡。三星还告诉客户，第八代V-NAND供应量将不足以满足2025年的需求。

市场研究机构称，三星计划在第三季度将企业级NAND芯片价格提高10%左右，这表明价格涨幅将较第二季度约20%的涨幅有所放缓。尽管如此，供不应求的状况将继续为三星和其他芯片制造商在未来的价格谈判中提供优势。

3.机构：预估Q3 NAND闪存合约价涨幅收敛至5%~10%

研究机构TrendForce集邦咨询发布研报显示，2024年第三季度除了企业端持续投资服务器建设，尤其企业级SSD受惠人工智能（AI）扩大采用，继续受到订单推动，消费性电子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅度趋于积极，第三季度NAND Flash供过于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.3%，预计NAND Flash均价涨幅收敛至季增5%~10%。

分产品看，NAND Flash由于原厂上半年控制增产，近期价格加速反弹帮助原厂重回获利。但随着各家厂商下半年开始明显扩大投产，零售市场买气仍未复苏，晶圆现货价走跌，跌幅扩大导致部分晶圆价格已低于合约价超过二成，晶圆合约价格未来上涨空间面临挑战。

消费级SSD方面，即便笔记本电脑销售进入传统旺季，但客户备货意愿较保守，尤其是PC终端产品未完全反应去年以来的价格涨幅。因此，下半年消费级SSD采购容量并未明显增长。随着供应商开始升级消费级PC SSD制程至2XX层，原厂供应产能仍将持续上升，但拉动价格上涨的动能并不强劲。此外，随着QLC与TLC产品价差明显，更多PC买家扩大使用QLC方案，加剧价格竞争。机构预计，消费级SSD第三季合约价预估季增3%~8%。

企业级SSD方面，许多企业持续扩大AI服务器建设，第三季度服务器OEM订单明显回升，采购增长。不过，由于智能手机和笔记本电脑订单需求保守，NAND闪存市况转向更为平衡。除了大容量QLC企业级SSD供应由两家厂商主导外，其他供应商积极争抢企业级SSD订单，以加速下半年去产能。这导致三季度企业级SSD合约价格上涨幅度收敛至季增15%~20%。

eMMC存储领域，第三季度缺乏驱动需求的因素，但原厂持续提价意愿明显，预计最终价格涨幅较少，合约价将呈现略微持平状态。

UFC存储方面，受到智能手机OEM厂商库存水位充足影响，加上模组厂也开始供应UFS物料，让需求端选择更多，面对第三季度原厂欲大幅涨价的情况，势必出现反弹阻力。此外，在买方手上库存充足且市场需求平淡的情况下，预估供应商有可能让步，第三季UFS合约价涨幅将落在季增3%~8%。

4.软银海外融资18.6亿美元，持续发力AI

软银集团近日通过出售美元和欧元债券筹集约18.6亿美元，这是该公司自2021年以来首次进行外币债券交易，目的是着手启动对人工智能（AI）的投资。

亿万富翁孙正义表示，该公司6月27日定价发行两批美元债券，总计9亿美元，两批欧元债券约合9.64亿美元。软银表示，这些资金将用于偿还债务和为运营提供资金。

软银及其创始人孙正义近日宣布了重大的人工智能投资计划。今年，这家日本公司直接向Tempus AI公司投资2亿美元，该公司是一家为医生和患者分析医疗数据以提出更好治疗方案的初创公司。最近，软银又以30亿美元的估值投资Perplexity AI公司，押注这家旨在利用人工智能与Alphabet旗下谷歌搜索进行竞争的公司。

从长远看，软银正在制定一项计划，向AI芯片投入约1000亿美元。

5.晶合集成亮相集微半导体大会，围绕55/40nm制程产品加速扩充产能

6月28日-29日，以“跨越边界 新质未来”为主题的2024第八届集微半导体大会在厦门国际会议中心酒店隆重举办，大会汇聚政、产、学、研、用、投等多个产业圈层，打造融合高端行业洞见、资本与资源的绝佳交流平台。大会同期举办“集微半导体展”，全面展示集成电路（IC）产业的发展成果，创新产品及技术，帮助产业各细分领域参展商与现场潜在客户实现深入交流及高效合作。

国内领先的晶圆代工厂合肥晶合集成电路股份有限公司（简称“晶合集成”）重磅亮相本次“集微半导体展”，向客户展示了自身的代工特色、设计服务及制造服务。

晶合集成成立于2015年5月，由合肥市建设投资控股（集团）有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设，位于合肥市新站高新技术产业开发区综合保税区内。晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务，为客户提供150~40nm不同制程工艺。2023年5月，晶合集成正式在上海证券交易所科创板挂牌上市，成为安徽省首家成功登陆资本市场的纯晶圆代工企业。

晶合集成已实现显示驱动芯片（DDIC）、微控制器（MCU）、CMOS图像传感器（CIS）、电源管理（PMIC）、逻辑应用（Logic）等平台各类产品量产，产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、车用电子等领域，可为客户提供丰富的产品解决方案。

晶合集成表示，此前深耕终端市场，未来还要跟随技术趋势前进，积极应对未来的人工智能（AI）潮、换机潮。晶合集成不断推出的新产品恰逢其时，可覆盖更多市场需求。

据介绍，晶合集成在原材料领域已实现90%由国内厂商供应，并设定100%国产化的目标。在设备领域，晶合集成增量部分国产化率达30%，规划未来新建厂房的设备优先考虑国内厂商，尽最大可能导入国产设备。

在晶圆制造方面，效率是晶圆代工企业的核心竞争力之一，而提升效率的最佳途径便是厂区集聚。晶合集成一期、二期、三期厂房横向相互贯通，三期双层无尘室实现纵向贯通，可极大提升生产效率。

在全球半导体市场持续回暖之下，晶合集成订单饱满，产能需求供不应求。自2024年3月至今，晶合集成产能一直处于满载状态，6月产线负荷约为110%，订单超过现有产能。为满足不断增加的市场需求，更好服务客户，晶合集成计划于2024年内总扩产3-5万片/月。

近年来，晶合集成不断推动技术节点向前发展，加速新产品应用落地，赢得市场广泛认可。晶合集成预计，2024年将在技术节点上围绕55nm、40nm不同制程产品加速扩充产能。在产品上，晶合集成将以高阶CIS产品为今年度扩产主力产品，并且依据市场需求，逐步扩充显示驱动芯片产能。目前晶合集成已经实现40nm高压工艺代工的OLED显示驱动芯片小批量试产，不仅在产品端成功跨越至OLED显示驱动芯片领域，更为提升国内显示驱动芯片自给率再次贡献晶合力量。

6.聚焦光刻胶产品自主可控 徐州博康重磅亮相第八届集微半导体大会

6月28日-29日，第八届集微半导体大会于厦门国际会议中心酒店盛大举办。大会以“跨越边界 新质未来”为主题，围绕半导体产业政策、投融资及并购整合、EDA产业发展、产业人才发展、校企合作、通用芯片、产业制造等全产业链生态，举办包括半导体展在内的50多场特色活动，并发布数十份集微咨询专业报告。

本届大会上，徐州博康信息化学品有限公司（简称：徐州博康）携光刻胶系列核心产品、关键技术及解决方案等重磅亮相。

作为半导体上游核心支柱，半导体材料肩负着中国半导体产业链安全、自主、可控的重要使命，而光刻胶作为芯片制造过程中的关键材料，更是发挥着不可替代的作用。光刻胶是精细化工行业技术壁垒最高的材料，被誉为电子化学品产业“皇冠上的明珠”，已成为中国芯片自主化的关键，有着极为重要的战略意义和实际价值。

尤其在当下，国内半导体行业频频遭受“极限”施压，高度依赖进口的光刻胶已成为悬在国内半导体行业的“达摩克利斯”之剑，国产化成为必须攻克的“堡垒”。

不过，近年来在政策、资本和产业的助推下，光刻胶国产化进程正在不断提速，行业也涌现出了一批以徐州博康为代表的优秀本土光刻胶厂商。

徐州博康成立于2010年3月，研发中心位于上海松江临港科技园，中试基地位于上海金山，在江苏邳州、浙江东阳有两个生产基地，是一家专注于中高端光刻胶及相关原材料研发制造的国家高新技术企业。

目前，徐州博康已经成功开发了100余种光刻胶单体以及覆盖I线、KrF、ArF、电子束和封装光刻胶五大系列的80余款光刻胶，其中近10款产品量产，20余款小批量销售，成为国内光刻胶领域产品品类最全、品种最多的供应商。

从产品来看，徐州博康的ArF干法光刻胶解析度达到CD 90nm，可应用于65nm/55nm工艺节点；ArF浸没式光刻胶解析度达到CD 45nm，可应用于28nm/40nm工艺节点。另外，其KrF光刻胶主要分分高分辨率正胶（分辨率达到120nm）、高分辨率负胶、金属剥离负胶、厚胶。而I线光刻胶主要分为化学放大型正胶、化学放大型负胶、酚醛树脂光刻胶、环氧负性光刻胶四大类，满足80%以上集成电路I线光刻胶需求。

作为我国最早从事光刻材料产业化开发的企业之一，徐州博康积极抢占集成电路光刻材料发展制高点，从原材料向上突破，发展成为国内唯一一家实现“单体-树脂、光酸-光刻胶”全产业链覆盖的光刻胶供应商，并通过持续的自主研发投入，拥有了80%的光刻胶专利，在保障国产光刻胶材料产业链安全、自主、可控方面取得实质性突破。

这些成就的取得，充分彰显徐州博康的远见与格局。一是在十年前意识到全产业链布局的重要性，持续着力全产业链布局，不仅保证了光刻胶原材料——光酸、树脂的自主开发，而且大大拓宽了光刻胶产品覆盖品类。二是实力雄厚的研发团队和持续不断的研发投入。目前，公司已拥有500多名技术人员，占比超过70%。一线研发团队200多人，其中硕士博士占比超过50%，具备强大的有机合成、高分子聚合、半导体级电子级纯化等专业技术优势，并系统掌握了电子级化学品生产的核心技术。

在研发项目方面，徐州博康承担了国家“02专项”子课题、国家重点产业振兴和技术改造专项等十余个光刻胶重点研发及产业化项目，并荣获中国好技术2项、江苏省科学技术二等奖1项、江苏省专精特新产品1项、江苏省重点推广应用的新技术新产品3项等荣誉。截至2023年，申请专利200余项，已获授权83项。2024年3月，半导体工艺用关键光刻材料被授予工业和信息化部认定的国家第八批“制造业单项冠军”。

此外，徐州博康还投入巨资建成了产品齐全、技术水平先进的光刻胶材料研发制造基地，基地配备了先进的自动化中控平台，以及标准的光刻材料生产设备及实验检测仪器，达产后实现了1100吨光刻材料及10000吨电子级溶剂的规模化生产。

展望未来，徐州博康表示，将始终以丰富人类未来世界的物质基础为使命，致力于推动半导体关键材料国产化。未来5年，徐州博康将继续加大研发投入力度，巩固核心自主知识产权，不断拓宽技术护城河，并前瞻性布局光刻赛道新分支。同时，继续在大化学相关领域深耕，拓展基础科学在新能源、新材料、生物医药、节能环保等国家战略新兴产业的应用。