瑞萨电子已完成对氮化镓（GaN）器件商Tranphorm的收购，此前收购价为3.39亿美元。随着交易的完成，瑞萨电子还推出了15种基于GaN的参考设计。瑞萨电子收购Transphorm加剧了与英飞凌在GaN设备领域的竞争，英飞凌去年收购了GaN Systems。
瑞萨电子推出的15种参考设计涵盖嵌入式处理、电源、连接和模拟产品组合。 其中包括Transphorm的汽车级GaN技术设计，该技术集成用于车载电池充电器以及电动汽车的三合一动力系统解决方案。
瑞萨电子高级副总裁兼电源总经理Chris Allexandre表示：“通过集成两家公司技术的交钥匙参考设计，客户可以立即从新的GaN产品中受益。将GaN添加到产品组合中，也加强了我们致力于开发让人们的生活更轻松的产品和技术的承诺。提供节能、降低成本和最大限度减少环境影响的强大且可持续的电源解决方案正是实现这一目标的途径。”
瑞萨电子为加强这一细分市场而采取的其他近期举措包括：开设甲府工厂，这是一座专门用于电源产品的300mm晶圆厂；在高崎工厂增加一条新的碳化硅（SiC）生产线；并与Wolfspeed达成协议，以确保未来10年SiC晶圆的稳定供应。
Transphorm成立于2007年，总部位于加利福尼亚州戈利塔，其前身是加利福尼亚大学圣巴巴拉分校，Transphorm是GaN半导体领域的领先创新者，设计、制造和销售高性能、高可靠性的GaN电源产品，适用于广泛的高压电源转换应用。本次推出的参考设计包括500W两轮电动车车载电池充电器，三合一电动车装置：逆变器、车载充电器、DC/DC 转换器，240W 48V扩展功率范围AC/DC适配器，3.6KW 双向数字电源DAB系统。
与传统的硅基器件相比，GaN和 SiC)等宽带隙（WBG）材料具有更高的功率效率、更高的开关频率和更小的占用空间，因此被视为下一代功率半导体的关键技术。受电动汽车、逆变器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电源转换、消费应用等需求的推动，GaN和SiC产品预计在未来十年内都将快速增长。
