英飞凌推出全球首创12英寸GaN晶圆技术

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英飞凌日前表示,公司已能够在12英寸(300mm)晶圆上生产GaN芯片,该技术为世界首创,希望满足高能耗人工智能(AI)数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。

英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示,到本十年末,这项技术市场将达到数十亿美元的规模。

英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White表示,首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

该公司表示,使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效,12英寸可以容纳的GaN芯片数量是8英寸(直径200mm)晶圆的2.3倍。目前,所有尖端处理器芯片都是在12英寸晶圆上制造的,电源芯片行业主要使用8英寸晶圆。

GaN是芯片制造中硅的替代品,GaN芯片因其效率、速度、重量轻以及在高温和高电压下工作的能力而受到青睐。

2023年10月,英飞凌成功收购GaN Systems后,通过双方研发资源的整合和应用人员的协作,产生了许多思想上的碰撞和灵感火花。双方的技术交流与合作,促进了英飞凌在氮化镓技术上的不断突破和创新,相关的产品系列迅速实现了广泛的扩展。

此外,英飞凌也在碳化硅(SiC)领域布局。今年8月初,英飞凌在马来西亚启动其有史以来最大的功率芯片工厂的生产。该公司表示,一旦马来西亚居林工厂在未来五年内达到满负荷生产,它将成为世界上最大的碳化硅工厂。(校对/孙乐)

责编: 李梅
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