华润微“半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置及测试方法”专利公布

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天眼查显示,华润微电子(重庆)有限公司“半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置及测试方法”专利公布,申请公布日为2024年5月21日,申请公布号为CN118050610A。

本发明提供一种测试装置,包括:信号产生模块,用于产生频率及占空比可调的方波信号;隔离驱动模块,用于根据方波信号产生幅值可调的驱动信号,其频率及占空比由方波信号决定;待测模块,用于通过开关控制使待测器件处于不同状态;加温模块,用于对待测器件加温;异常比较模块,用于比较待测器件的漏电流和设定电流并产生第一比较结果;阈值比较模块,用于比较待测器件的漏源电流和基准电流并产生第二比较结果;控制与人机交互模块,用于根据第一比较结果判断待测器件是否存在异常,及根据第二比较结果获取待测器件的阈值电压。通过本发明提供的测试装置,解决了现有技术中无专用装置对SIC MOSFET的阈值电压可靠性进行测试的问题。


责编: 赵碧莹
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