天眼查显示，华润微电子（重庆）有限公司“一种逆导型LIGBT器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118693138A。
本发明提供一种逆导型LIGBT器件及其制备方法，该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构及MOS结构，其中，半导体结构包括衬底、介电层及外延层；发射极结构包括基区、发射区及第一接触区；集电极结构包括第一、二缓冲区及集电区，基区与第一缓冲区之外的外延层作为漂移区；栅结构位于基区上表面；MOS结构包括浮空接触区、第二接触区、隔离层及二极管结构，浮空接触区位于外延层上表层，第二接触区位于第二缓冲区上表层，隔离层位于第二接触区与浮空接触区之间的外延层上表面，二极管结构包括位于隔离层上的阴极接触区及阳极接触区。本发明通过MOS结构的设置，避免了集电极电压折回现象，提升了器件的性能。
