1. 紫光国微拟19亿元收购瑞能半导100%股权，转型Fabless+IDM
2. 前华为海思高管创业，5个月融资超6.7亿
3. 高容量NOR Flash将涨价110%
4. 铠侠据悉考虑赴美上市融资100亿美元
5. IICIE 2026国际集成电路创新博览会圆满收官，全链聚力共启半导体产业新征程
6. 三星、SK海力士拒绝预付电费
1. 紫光国微拟19亿元收购瑞能半导100%股权，转型Fabless+IDM
近日，紫光国芯微电子股份有限公司（002049，简称“紫光国微”）披露修订版发行股份及支付现金购买资产报告书（草案）。这家主营特种集成电路与智能安全芯片的行业龙头，计划以19亿元总对价，全额收购功率半导体企业瑞能半导体科技股份有限公司（简称“瑞能半导”）100%股权，通过收购具备晶圆制造能力的IDM企业，正式开启从纯设计Fabless模式向“Fabless+IDM”模式的战略转型，补齐自身半导体产业链中功率器件制造的关键短板。本次交易分为发行股份及支付现金购买资产与募集配套资金两部分，紫光国微将以3.8亿元现金、15.2亿元股份的组合对价，向南昌建恩、北京广盟等14名交易对方收购瑞能半导全部股权，同时拟募集不超过3.96亿元配套资金，用于支付现金对价、中介费用及相关交易税费。受2025年度利润分配除权除息影响，本次股份发行价格调整为61.45元/股，对应发行数量24735548股。交易落地后，紫光国微控股股东仍为紫光春华，持股比例仅从26%微降至25.26%，公司无实际控制人的股权结构保持不变，整体控制权稳定。
本次交易构成关联交易，南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯合计持有瑞能半导71.11%股权，其执行事务合伙人与紫光国微间接控股股东存在关联重叠，同时公司董事长陈杰、董事郭睿均间接涉足标的公司股权相关事宜，相关关联董事、股东已在审议流程中依规回避表决，保障交易合规性。值得一提的是，本次并购未设置传统业绩补偿条款，仅设立资产减值补偿机制，将在交易完成后的第三个会计年度期末开展减值测试，若标的公司估值低于交易作价，将以股份优先、现金补足的方式进行补偿，但补偿额度存在上限，无法完全覆盖交易对价，仍存在一定估值风险。深耕功率半导体领域多年的瑞能半导拥有深厚产业底蕴，承袭恩智浦双极业务的核心技术与质量体系，手握吉林、北京两大晶圆厂及上海金山模块厂三大生产基地，具备成熟的IDM一体化生产能力，公司主打晶闸管、功率二极管、碳化硅系列器件及各类功率模块，其中晶闸管市占率位居国际前列，碳化硅二极管产品稳居国内领先水平。业绩层面，瑞能半导2024年、2025年及2026年1-6月营收分别为7.84亿元、8.71亿元、4.73亿元，净利润对应为1918.83万元、4715.16万元、1881.10万元，业绩波动贴合功率半导体行业周期与产能爬坡特性，其6英寸车规级晶圆新产线已顺利投产，当前订单充足、产能利用率较高，但新增产能的充分消化仍依赖下游市场需求与客户验证进度。
作为A股优质芯片设计企业，紫光国微2025年实现营收61.46亿元、归母净利润14.37亿元，主业经营稳健，但原有功率半导体业务均采用外包生产模式，缺乏自主制造能力。本次收购将为公司带来全方位产业协同，实现产品、技术、生产、渠道、供应链的多重升级。产品端，双方硅基、碳化硅功率器件品类互补，可搭建覆盖消费、工业、光伏储能、通信、新能源汽车等多领域的完整产品体系；技术端，双方在芯片设计、晶圆制造、碳化硅工艺的核心技术形成互补，能够减少重复研发投入，加快产品迭代上市；生产端，紫光国微一举补齐晶圆制造短板，实现设计与制造协同，提升产能自主权与产品良率，有效控制生产成本；渠道端，公司深耕国内优质政企、工业客户，标的企业坐拥全球经销网络，双向打通后可实现国内外市场的深度拓展；供应链端，依托双方采购规模优势，能够整合上游资源，进一步压降采购成本、提升盈利空间。
与此同时，本次并购暗藏多重经营风险。商誉方面，交易完成后紫光国微商誉账面价值将从6.86亿元增至11.71亿元，占总资产、净资产比例分别达5.33%、7.31%，若标的公司后续经营承压，将面临商誉减值、侵蚀上市公司利润的风险。整合层面，两家企业在经营机制、管理模式、企业文化上存在差异，后续磨合难度较大，核心人才流失可能影响标的公司原有业务稳定性。业绩层面，功率半导体行业周期性波动明显，叠加新产线产能释放存在不确定性，且2026年上半年标的公司受一次性成本结转影响利润阶段性下滑，未来业绩稳定性仍待验证。除此之外，碳化硅技术快速迭代、原材料价格波动、新建项目效益不及预期、厂房租赁及国际贸易摩擦等潜在风险，也将对本次并购后的整合发展形成持续挑战。
2. 前华为海思高管创业，5个月融资超6.7亿
近日，前海思鲲鹏总经理陈鹏创立的九万里未来科技有限公司，已连续完成种子轮及天使轮融资，累计融资规模超过一亿美元（约合6.77亿元人民币）。本轮融资获得红杉中国、某头部财务基金、华业天成、蓝驰创投、联想创投、中科创星、武岳峰科创、华登高科等顶级财务及战略投资机构鼎力支持，高鹄资本担任独家财务顾问。
据了解，陈鹏在芯片行业深耕超过二十四年，职业生涯横跨海思等关键产业平台，先后参与并主导鲲鹏、泰山ARM核、昇腾等中国大算力芯片代表性项目。陈鹏曾在海思工作近二十年，先后担任鲲鹏处理器研发部长、昇腾处理器芯片研发部长及鲲鹏处理器领域总经理，带领千人级团队，长期负责高性能处理器领域的研发管理与产品落地。他亲身领导并参与了计算芯片领域多项重大关键里程碑式项目的研发与落地，包括业界首颗TSMC CoWoS先进封装芯片、业界首款ARM64 Server芯片的研发与量产、业界首次竞争力比肩ARM原生的ARM CPU核的自研与量产落地，以及用两年时间带领团队完成AI领域训练推理系列芯片从0到1的研发与量产。
九万里未来科技成立于2026年05月07日，该公司将聚焦边侧/端侧大算力推理芯片，围绕高算力、高能效、低时延、长程任务等核心需求，致力于把超大规模参数模型放到单颗芯片中高效运行，打造面向新一代Agentic智能的开放计算平台。
3. 高容量NOR Flash将涨价110%
9月14日，集邦咨询（TrendForce）发布最新存储器行业调研报告，针对NOR Flash市场发展态势作出最新预判。报告指出，当前AI产业抢占大量晶圆产能，叠加各领域高端应用迭代升级，各大厂商的NOR Flash位元产出增速持续放缓。基于当前市场格局，2026年下半年行业供需失衡的局面仍将延续，整体合约价格将持续站稳高位，其中高容量规格产品的价格更是有望实现翻倍上涨。
尽管业内供应商均已加码资本投入、启动产能扩建计划，但新增产能落地存在较长周期。从制程优化、良率提升、产品性能验证，到适配客户定制规格、完成终端设计导入，全流程需要长时间打磨，无法快速转化为市场有效供给，这也意味着中高容量NOR Flash的市场缺口在短期内难以填补。
报告梳理了头部NOR Flash厂商2026年的产能供给表现。稳居全球市占榜首的华邦电子（Winbond），本年度位元产出增速领跑行业，核心增量来源于45nm制程NOR产品的规模化量产，以及25nm/20nm制程迭代微缩带来的效能提升。即便企业整体晶圆投片数量增幅有限，但单片晶圆对应的NOR Flash位元出货量实现大幅增长。
全球市占第二的兆易创新，产品矩阵覆盖512Kb至2Gb全容量段位，2026年重点推进32Mb以上中高容量产品的制程升级工作。不过受部分NOR Flash代工业务转移至海外晶圆厂的影响，产能磨合阶段导致其上半年有效产出受限，产能释放节奏有所滞后，预计下半年产能将逐步回暖、稳步回升。
旺宏电子（MXIC）则调整了产能分配策略，2026年新增12英寸晶圆产能优先倾斜至供需更紧张的NAND闪存与eMMC产品，直接导致NOR Flash投片规模增长乏力，其NOR Flash位元产出增速大幅低于企业整体产能扩张幅度。
在供给端增量不足的同时，NOR Flash市场需求保持稳步扩容。除了车载ADAS系统、智能数字座舱、工业控制等传统核心应用场景持续释放需求外，2026年AI产业与航天通信领域将成为拉动行业增长的核心新动力。
以AI服务器场景为例，单台设备的NOR Flash需求量是传统服务器的3至5倍。同时，AI服务器搭载的大量Retimer信号转换芯片，均需配套独立的NOR Flash芯片完成微码加载工作，大幅拉升了高容量、Octal SPI规格NOR Flash的市场需求。除此之外，边缘AI设备、AI PC、智能机器人等终端产品，依托本地推理功能实现性能升级，设备内置模型固件体量成倍扩增，进一步带动高密度NOR Flash产品的需求攀升。
航天通信领域的需求增量同样亮眼。低轨卫星本体核心芯片组，需要高可靠性的NOR Flash芯片支撑快速开机、固件数据备份等核心功能，地面配套接收天线也需搭载NOR Flash芯片，保障实时运算与OTA远程固件更新稳定运行。同时，航天级NOR Flash产品需满足抗辐射、耐高低温极端环境等严苛标准，形成了较高的技术壁垒，仅少数厂商具备量产能力。
价格层面，集邦咨询数据显示，2026年上半年NOR Flash合约价格累计涨幅已达到100%-120%，下半年不同容量规格产品的价格走势将出现明显分化。其中256Mb及以上的高容量产品，依托AI服务器、高端车载等刚需场景支撑，叠加头部厂商新增位元供给不足，下半年价格仍有90%-110%的上涨空间。
而128Mb及以下的中低容量产品市场，随着各家厂商产能逐步释放，消费级应用产品的涨价势头明显放缓，整体进入高位震荡调整阶段，预计2026年第四季度涨幅将收窄至10%-20%。
4. 铠侠据悉考虑赴美上市融资100亿美元
据市场消息，日本NAND闪存龙头企业铠侠正推进赴美融资计划，考虑通过发行美国存托凭证（ADR）的方式登陆美股市场，募资规模预计达100亿美元，项目最早有望2026年落地，大概率不晚于2027年春季。
目前铠侠已与高盛、摩根大通、美国银行三大国际投行展开初步磋商，整体方案仍处于早期筹备阶段，募资额度、上市时间表及承销细节均存在调整空间，企业与投行方面暂未对此事作出官方回应。不同于全新IPO，此次上市是铠侠在东京上市基础上的海外增发，企业核心上市主体保持不变。
紧抓AI存储行业红利窗口，是铠侠此时推进美股融资的核心原因。当前AI算力爆发带动数据中心SSD需求暴涨，存储行业迎来上行周期，铠侠业绩迎来大幅反弹，营收、利润率和自由现金流均实现大幅增长，产能也被海外云厂商长期锁单，叠加公司年内股价大幅上涨，处于行业景气与估值高位的最佳融资节点。同时，此前SK海力士成功落地百亿级美股ADR上市，为亚洲存储巨头赴美融资树立了标杆，铠侠此次跟进布局，也是行业拥抱美股资本、对接全球资金的必然趋势。
本次百亿级融资落地后，将为铠侠长期发展筑牢资本根基。作为资本密集型的存储行业，3D NAND技术迭代、新产能建设、AI企业级存储产品研发均需要持续大额投入，此次募资能够帮助企业摆脱过往债务压力、降低周期波动风险，加大高端存储产能布局，巩固其在全球NAND闪存市场的龙头地位。不过此次上市仍存在诸多不确定性，美股严苛的合规披露要求、半导体行业周期性波动以及跨境行业监管政策，都将成为后续推进过程中的主要挑战。
5. IICIE 2026国际集成电路创新博览会圆满收官，全链聚力共启半导体产业新征程
在9月9日-11日为期三天的IICIE国际集成电路创新博览会中，共有86452人参加，其中海外观众2585人，整体观众数量同比去年增长97%，同时三展联动三天观众共计到达32.58万人 。
论坛活动方面，举办了20多场高规格论坛会议 ，论坛议题覆盖集成电路全产业链，从先进制程、关键设备材料，到芯片应用场景、跨界融合创新，从AI算力、硅光集成，到先进封装、汽车芯片、RISC-V、端侧AI等前沿热点，超过240位国内外顶尖专家、企业高管、分析师登台演讲。
参展企业方面，汇聚近千家企业 ，深度覆盖半导体制造全产业链，涵盖芯片设计、晶圆制造及封测、半导体设备/材料/零部件全链条核心企业，清晰呈现半导体供应链上下游协同体系，彰显国产半导体产业的技术底蕴与发展活力。
院士专家齐聚，重磅峰会研判产业未来趋势
作为年度半导体行业重磅盛会，本届展会集中展现国产半导体产业的突破性成果与生态协同新格局。在本届展会开幕式上，数百位嘉宾齐聚，包括国际集成电路创新博览会(IICIE)组委会名誉主席、科技部原副部长、季华实验室理事长兼主任曹健林，国际集成电路创新博览会(IICIE)组委会主席、国家02专项技术总师、中科院微电子所研究员叶甜春，中国工程院院士、浙江大学信息学部主任、示范性微电子学院产学融合发展联盟理事长吴汉明，中国科学院院士、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所总工程师贾平，中国工程院院士、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长张学军，中国工程院院士、中国科学院大学教授樊仲维，中国国际光电博览会（CIOE）创始人、执行主席杨宪承等；以及来自集成电路及半导体全产业链各环节的重点企业、高校和科研院所、媒体代表等，为开幕式注入强劲的行业影响力与专业高度。
展会同期20余场重磅峰会持续输出产业洞察。全球半导体分析师大会以“2026-2030 导航半导体新纪元——重塑产业驱动力，从零和博弈走向协同创新”为主题，研判未来五年产业转型路径与增长新动能；第十届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）聚焦光刻前沿技术，助力先进工艺持续突破。除此之外，硅光制造、先进材料、先进封装、MicroLED CPO、宽禁带半导体、FDSOI 工艺、端侧 AI、RISC-V 架构、汽车芯片、具身智能等赛道专题论坛密集举办，为企业战略布局、技术升级、市场拓展提供权威参考。
全产业链企业集中亮相，硬核技术成果实景展示
近千家参展企业完整覆盖芯片设计、晶圆制造、先进封测、半导体设备、材料及核心零部件，集中展现国产半导体产业的技术积累与生态活力。
在制造与先进封测板块，华虹集团、积塔半导体、晶合集成、新芯股份、增芯科技、通富微电、华天科技、芯植微、佰维存储、时代民芯、锐立平芯、新核芯、安吉海万欣等企业集中亮相，直观展示Chiplet异质集成、高密度先进封装、特色工艺制造等技术的商业化落地成。
在上游核心支撑板块，盛美上海、拓荆科技、华海清科、微崇半导体、华煜半导体、精测电子、北京中电科、中科飞测、隆友德、华卓精科、迈为技术、东方晶源等产业链头部设备厂商，完整覆盖晶圆制造前道工艺、量测检测、封装制程及核心配套装备全环节，集中亮相多款国产前沿设备成果。
关键材料与核心零部件领域汇聚沪硅产业、天科合达、电科材料、安集科技、中船特气、上海新阳、清溢微、西陇科学、成都炭材以及中科仪、新松半导体、万瑞冷电、上银科技、新莱集团等企业，覆盖半导体制造全链条的关键材料与核心零部件产品，共同筑牢产业上游供给底座。
在芯片设计领域，中兴微电子、华润微电子、比亚迪半导体、爱特微、北京君正、澜起科技、紫光国微、广立微、复旦微电子等行业翘楚，集中展示面向AI算力、消费电子、智能汽车等赛道的芯片架构创新、RISC-V 生态落地成果与EDA工具优化方案。
同时展会现场打造AI应用特色展示区、RISC-V生态应用展示区、芯片及芯片设计展示区三大特色专题展示区，覆盖从芯片设计、制造工艺到应用场景落地的全链路，吸引众多专业领域观众驻足，深度洽谈技术发展与落地解决方案、促进上下游企业精准对接。
三展联动打破产业边界，共建半导体光电电子协同生态
本届IICIE与CIOE中国光博会、elexcon 深圳国际电子展三展同场深度联动，不再是展会简单叠加，而是实现产业边界的重构与打通，打造“半导体+光电+电子” 一体化产业生态圈。
三大展会实现展区互通、观众资源共享，贯通上游芯片、中游器件模组到下游终端应用全链条，有效降低跨领域技术对接成本，为半导体创新技术开辟更广阔的落地场景。后续三展联动模式将持续放大聚合效应，持续打造高价值、强辐射的产业交流合作平台，助力国内集成电路产业持续协同发展。
IICIE
6. 三星、SK海力士拒绝预付电费
根据多家韩媒引述知情人士指出，三星电子与SK海力士已经拒绝国营的韩国电力公社（KEPCO，简称韩电），所提出25万亿韩元（约186亿美元）的五年电费预付方案，理由是这会引发现金流风险，并影响到其必要的投资支出。
知情者指出，负债累累的韩电最近提议，这两家晶片巨头预付未来五年电费，其三星电子预付20万亿韩元，SK海力士预付5万亿韩元。
这两笔金额，是按照两大巨头去年支付的电费，来计算出相当于其五年的总电费。
据了解，三星电子与SK海力士在进行内部评估后，都认定难以接受这预付天价的方案，因此各自通知韩电拒绝接受其提议。
韩电之所以希望两大芯片巨头能预付五年电费，是因为截至6月底，韩电总负债高达210.7万亿韩元，光是每天利息支出则高达115亿韩元。
事实上，韩电的提议，除了要为解决自家债务问题之外，预先拿到巨额电费后，能有助其取得资金来源，去扩建正在兴建中的半导体产业聚落，包括首尔南部的龙仁，以及韩国西南部的湖南等地区，所需要的电力基础设施。
外界认为三星电子与SK海力士不愿接受预付提议，似乎反映他们选择要把经营上的不确定性降至最低。
路透引述一位匿名的企业内部人士消息报导，三星电子与SK海力士不接受预付提议，是因为两者都不确定在AI热潮下，所带动半导体的长期持续性需求能否维持下去，因此担心一次性预先投入如此庞大金额，恐将带来营运风险。
三星电子与SK海力士拒绝相关报导。韩电则证实这两大芯片巨头已拒绝其提出预付电费的建议。
韩媒《朝鲜日报》在本月稍早报导，韩电曾提议芯片制造商，先支付新建晶图制造厂所预计消耗电力的费用，以方便让韩电能够为这些晶圆厂，投资其所需要的供电基础设施。
