B1+B3：全球最主流的载波聚合方案，射频前端的核心
在5G通信时代，载波聚合（Carrier Aggregation）技术已成为提升传输速率的核心手段。其中，Band1 + Band3频段组合是全球部署最广泛、终端支持量最大的载波聚合方案之一，被欧洲、亚洲、澳洲等全球20余家主流运营商大规模采用，更是国内 4G/5G NSA 组网的标配频段组合。另外，在B1+B3基础上增加对Band66频段的兼容支持，实现了“一颗芯片、三频联动”的广域覆盖能力。
▸ Band1频段：TX 1920-1980MHz / RX 2110-2170MHz（支持B66RX 2110-2200 MHz）
▸ Band3频段：TX 1710-1785MHz / RX 1805-1880MHz
B1+B3+B66四工器作为该载波聚合方案的核心器件，需要在极小的空间内集成4个高性能滤波器，同时满足严格的插入损耗、交叉隔离度和功率容量要求。因其设计难度极大，该四工器长期被国际巨头垄断，是国产滤波器厂商重点攻关的产品。
小型化演进趋势与业界现状：“做小”易，“做强”难
随着智能手机轻薄化、全面屏化及内部功能模块持续增加，射频前端可用空间愈发紧张。SAW滤波器作为射频前端中数量最多的器件（一部5G手机通常需30-50颗），其尺寸直接决定了射频模组整体占位面积。小型化已成为行业刚需——每一代封装尺寸的缩小都意味着单位面积可以容纳更多滤波器，这是实现5G全频段覆盖、多载波聚合的物理基础。小型化不是简单的"比例缩放"，而是在芯片面积、功率容量和电性能之间寻求极致平衡的系统工程。
全球SAW滤波器市场由日美企业主导，他们占据全球高端 B1+B3 四工器90% 以上份额。2025年，Qualcomm RF360实现1.6×1.2mm（1612）封装B1+B3 四工器量产，该尺寸为目前业内最小量产规格。
将B1+B3四工器做到1612封装，并保持与降尺寸前同级的性能，需要突破以下三大技术难关：
产品尺寸与功率容量的矛盾：芯片面积减小意味着IDT叉指电极的有效布线面积大幅减少，必须有谐振器牺牲自身电容或者级联数量，导致单位面积电流密度显著增大。同时，封装和芯片小型化后散热面积骤减。在高功率下，更容易发生功率烧毁，直接威胁器件可靠性。SAW滤波器的功率烧毁是声迁移、热效应与电效应三者相互耦合、共同作用的结果，呈现非线性加速特征，需要从三个维度全面优化提升并结合具体烧毁模式进行差异化设计。
声迁移：机械应力驱动下电极材料的渐进式质量再分布，声学叉指形成凸起和空洞。
热效应：温度-频率正反馈导致的频率偏移乃至热失控1）
电效应：电场强度突破介质击穿阈值时突发性放电灾难
产品尺寸与插损的矛盾：小型化后，电极电容和声波路径受限，往往导致插损增大。插损恶化对接收通路会降低接收灵敏度，造成信号不稳、网速下降；对发射通路则会削弱上行发射功率、增加整机功耗与发热，同时提升射频器件长期工作的失效风险。因此，小型化必须与低插损同步实现，这对材料、工艺和产品设计提出了极高要求。
四路信号交叉隔离度挑战：四工器内部集成4个滤波器，且B1/B3/B66 频段间距较窄，小型化后各通道间的电磁寄生耦合增强。发射通道与接收通道之间需保持>55dB的隔离度。在更小的芯片面积内实现这一指标，对电磁屏蔽和接地设计提出了极大挑战。
瑞宏发布：业界最小尺寸B1+B3+B66四工器，做小做强
面对上述三大技术难关，瑞宏团队经过多年攻关，成功推出TF-SAW高性能B1+3+B66四工器，芯片尺寸仅为1309（1.3×0.9mm）——这是目前业界最小的四工器芯片尺寸，可兼容1612和1511两种封装。更为难得的是，该芯片在85°C高温条件下破坏功率达35dBm，相比5G手机常规发射功率留有足够的安全裕量，打破了“越小越不耐功率”的行业困境。
三大突破，重新定义“小而强”
突破一：业界最小芯片尺寸1309——兼容1612/1511两种封装
瑞宏B1+B3+B66四工器的芯片尺寸仅为1309（1.3mm×0.9mm），这是目前业界最小的B1+B3+B66四工器芯片尺寸。该芯片可兼容两种封装尺寸：1612（1.6mm×1.2mm）为B1+3+B66四工器业界最主流的先进小型化封装尺寸；1511（1.5mm×1.1mm）则突破1612，成为业界最小的四工器封装尺寸，且1511 Pin脚兼容1612焊盘，客户可灵活选择两种封装方案。国产四工器首次在最小封装规格上，实现了与国际巨头并跑和跨越。
突破二：85°C破坏功率35dBm，高可靠性保障
瑞宏B1+B3+B66四工器在85°C 高温条件下，破坏功率达到35dBm，意味着在长时间高功率发射，器件依然能保持稳定可靠的工作状态，这一功率指标是在业界最小芯片尺寸1309上实现尤为难得。在射频滤波器设计中，小型化与功率通常是一对矛盾体——更小的芯片面积意味着IDT单位面积承受的功率密度更大，高温下的声迁移和热聚集效应会显著增强，功率容量往往随之下降。
瑞宏通过1.通过Cu掺杂Al电极、Ti底层诱导和采用叠层电极结构来提高晶粒织构质量、减少大角度晶界比例，从而提升功率容量；2. 优化系统散热路径，即实现芯片到封装底部的低热阻传导通道； 3. 声学设计上借助功率仿真和烧毁模式分析，针对性优化谐振器频率和电容，在电性能和功率之间寻找平衡；成功打破了"越小越不耐功率"的行业规律。
突破三：S参数性能对标国际一线
在高功率高可靠性的保驾护航下，借助瑞宏自主开发的产品设计平台，完成从声学建模→电磁仿真→多物理场耦合分析的全链路优化设计。经测试验证，瑞宏B1+B3+B66四工器在插入损耗、隔离度、带外抑制、温漂系数等核心指标上，均达到与Qualcomm RF360 1612同级产品的水准。
▸ 低插损： 1.55dB@1710-1785MHz，2.1dB@1805-1880MHz，1.4dB@1920-1980MHz，1.3dB@2110-2200MHz
▸ 高隔离：各端口隔离度>55dB
▸ 优异温漂：温漂系数~-10ppm/°C
▸ 高抑制：带外抑制深度满足运营商规范要求
参考文献：
[1] J. Costa, S. McHugh, N. Rice, P. J. Turner, B. A. Willemsen, N. O. Fenzi, R. B. Hammond, J. D. Ha, C. H. Lee, and T. Sato, "Design and characterization of SAW filters for high power performance," in Proc. IEEE Int. Ultrason. Symp. (IUS), Glasgow, UK, Oct. 2019, pp. 1578-1581.
