9月20日，第十一届上海FD-SOI论坛在上海举行。新傲芯翼（SimWings）常务副总经理王克睿发表题为“立足300mm SOI衬底，助力FD-SOI产业发展”的主题演讲，系统阐述FD-SOI技术优势、全球应用进展，以及新傲芯翼300mm SOI量产爬坡与产业协同布局。
王克睿指出，FD-SOI正从低功耗利基市场走向主流应用。其核心优势包括：可在低于0.4V最小能量点工作，超低电压下能效提升达7倍；毫米波射频性能可与SiGe方案媲美；软错误率较体硅改善约20倍。体偏置技术（FBB/RBB）支持动态功耗管理，使FD-SOI适合可穿戴、物联网边缘、5G/6G毫米波、汽车ADAS与工业MCU。
全球落地案例方面，意法半导体在18/28nm FD-SOI平台推出MCU及PCM xMemory产品；STM32V8基于18nm FD-SOI，被集成至Starlink用户终端系统，面向严苛环境。Arbe与Hirain基于22nm FD-SOI开发毫米波雷达，获L3级自动驾驶ADAS设计订单，计划2027年量产。Mobileye的28nm FD-SOI ADAS视觉处理器EyeQ4已大规模量产，兼顾计算性能与低功耗。
边缘AI与工业领域，瑞芯微22nm FD-SOI高性能NPU芯片RK1808赋能边缘AI视觉与语音；GreenWaves面向TWS耳机和边缘AI的22nm FD-SOI处理器，可在50mW以下实现指数级算力；恩智浦28nm FD-SOI边缘处理器面向工业物联网和智能家居，深睡电流仅15μW。王克睿强调，28/22nm FD-SOI在能效上可匹配甚至超越昂贵的12/7nm FinFET，且成本更优。
射频与移动终端方面，高通与苹果在22nm FD-SOI毫米波天线模块中实现优异射频隔离与更低信号衰减；谷歌Pixel 6采用28nm FD-SOI毫米波射频前端，率先推动商用5G毫米波模组；索尼28nm FD-SOI GNSS接收器用于智能手表，体偏置将工作功耗降至毫瓦级；高通QET7100基于22nm FD-SOI优化5G PA效率，降低散热并延长续航。
产业生态上，NSIG作为领先SOI衬底供应商，正全面融入FD-SOI链条。生态图覆盖衬底、代工、IP与设计服务、EDA、Fabless及终端客户。代工包括ST、中芯国际、华力、三星、格芯；设计企业包括复旦微、瑞芯微、君正、Arbe、NXP、Mobileye、Lattice、Nordic、Qualcomm等；IP与EDA包括芯原、华大九天、Primarius；终端客户包括比亚迪、三星、谷歌、苹果。
针对300mm SOI，王克睿介绍：2001年Simgui成立，2014—2015年200mm RF和Power SOI量产；2022年SimWings产出300mm SOI晶圆；2026年实现300mm SOI晶圆量产。产品组合覆盖RF-SOI、HV-SOI、FD-SOI、Photonic-SOI和MEMS，提供从超低功耗逻辑到高性能光学与功率电子的全谱系方案。300mm SOI已通过BCD、RF、硅光等验证并量产。NSIG 300mm硅片覆盖逻辑、存储、图像传感器及特种工艺，面向AI计算、手机、PC、HBM、DRAM、3D NAND、NOR、堆叠CIS、dTOF、IGBT、RF/IPD、DDIC等。产能上，2026年月产能达3.3万片，后续计划年增100万片以上。NSIG与Soitec持续合作，将IP许可从200mm扩展至300mm，确保中国300mm SOI供应，产品已通过客户验证。
市场展望方面，Dell'Oro 2026年8月预测，2030年全球数据中心资本支出将超3万亿美元，其中2024年4000亿美元、2026年7700亿美元、2028年1.5万亿美元、2029年2.2万亿美元、2030年3.0万亿美元。NSIG已构建从晶体生长到最终SOI工艺的完整链条，200mm及以下SOI、特种片和外延片继续服务90nm以上成熟节点，涵盖硅光、功率管理、模拟IC、MEMS、MOSFET/IGBT、GaN-on-Si等。AI、汽车电子、新能源和工业控制将支撑未来1至2年需求。
王克睿表示，新傲芯翼将以300mm SOI量产为新起点，携手全球代工厂、设计公司、EDA和终端客户，推动FD-SOI在超低功耗、毫米波射频、汽车电子、卫星通信和硅光互联等领域规模化落地，为FD-SOI产业生态注入“中国衬底”力量。
