9月20日，第十一届上海FD-SOI论坛在上海举行。Soitec FD-SOI业务线总经理Foo Leng Leong作主旨演讲，解析FD-SOI技术在人工智能、汽车电子、物联网及量子计算等前沿领域的市场增长潜力、技术独特优势及其对中国半导体生态系统的战略赋能。
图/Soitec FD-SOI业务线总经理Foo Leng Leong
Foo Leng Leong在演讲中明确指出，随着全球半导体产业进入新的技术演进周期，边缘计算、物理AI（Physical AI）以及自动驾驶的强劲需求，正在成为驱动FD-SOI技术加速普及的核心引擎。市场预测数据显示，FD-SOI市场将迎来爆发式增长，预计到2030年，汽车与雷达领域的复合年增长率（CAGR）将达到20%，边缘计算领域达到22%，而互联（Connectivity）领域的CAGR更是高达29%。Foo Leng Leong强调：“FD-SOI技术正凭借其高度集成的特性，在5G毫米波、车载雷达及低功耗物联网SoC等领域占据不可替代的地位。”
在阐述FD-SOI如何重塑半导体价值链时，Foo Leng Leong展示了其强大的全球生态系统。目前，FD-SOI技术已获得全球主要代工厂和IDM的广泛采用，并拥有丰富的IP库与设计服务支持。在衬底端，Soitec依托其标志性的Smart Cut技术，提供高质量的200mm和300mm SOI衬底，为超薄硅层的均匀性提供了坚实保障。技术路线图显示，FD-SOI正沿着40nm至28nm、22nm与18nm，并向12nm及以下的下一代节点稳步推进，为产业的持续创新提供了清晰的路径。
就中国市场，Foo Leng Leong特别指出，FD-SOI的独特技术特性对于中国半导体产业的增长至关重要。在AI范式从数据中心向物理AI（具身智能、自动驾驶等）转移的大背景下，FD-SOI展现出六大核心赋能优势：平衡的性能、超越体硅的能效、更智能的边缘AI、更安全的汽车电子、无缝连接能力以及可持续的平台化发展。
特别是在低功耗方面，FD-SOI技术支持在最低能量点（<0.4V）运行，实现超低电压下7倍的能效提升；在可靠性方面，其软错误率较体硅改善了20倍。此外，面对日益严峻的网络安全挑战，FD-SOI因其埋氧层结构能有效抵抗激光故障注入（LFI），满足严苛的安全标准，为智能网联汽车和边缘设备提供了卓越的安全防护。
值得一提的是，Foo Leng Leong在演讲中还前瞻性地分享了Soitec在量子计算领域的战略布局。随着全球量子计算市场发展，硅自旋量子比特（Silicon Spin Qubits）因其与CMOS工艺的高度兼容性、最小的量子比特尺寸以及大规模量产能力，被视为最具潜力的技术路径。Soitec正与合作伙伴携手，利用28Si工程衬底和成熟的28nm FD-SOI CMOS产线，致力于实现百万级量子比特量子处理器的制造。
在AI与量子计算交汇的新时代，FD-SOI作为一项平台型技术，在推动全球及中国半导体产业突破性能瓶颈、构建安全可持续生态系统中展现了不可替代的战略价值。随着产业链的日趋成熟与多元化应用的不断落地，FD-SOI无疑将迎来更加广阔的发展空间。
