9月20日，第十一届上海FD-SOI论坛在上海举行。格罗方德首席执行官Tim Breen就《从AI基础设施到物理AI：开启半导体创新的下一波浪潮》作主旨分享，阐述了物理AI为何将成为半导体产业下一阶段的重要驱动力，以及FD-SOI技术为何有望在这一进程中发挥关键作用。
图源/FD-SOI论坛
Tim Breen开篇指出，当前有三股“大趋势”正在重塑半导体行业：数据中心正在快速扩展并发生变化；AI正在从数字世界走向物理世界；全球半导体供应链的重要性比以往任何时候都更加突出。“三股力量并非孤立存在，而是相互强化，推动AI基础设施与物理世界加速融合，也对芯片的性能、功耗、连接和集成能力提出了更高要求。”
在回顾计算时代演进时，Tim Breen表示，每一个计算时代都在扩大智能的触达范围。过去30年，连接世界带来了数百万云实例、数千主机和数百万用户；过去20年，智能设备普及，带来了数十亿智能设备、数十亿手机和数十万蜂窝基站；而在不到10年内，物理AI将带来数百亿设备、数亿XPU和数千万服务器。与以往不同，物理AI并非简单地把AI能力嵌入终端，而是要让系统在真实环境中完成“感知、思考、行动、通信”的闭环。
他进一步解释，物理AI将驱动广泛的系统级需求。在“感知”环节，系统要从环境中采集数据，需要模拟精度、多模态集成、低失配RF、先进传感器接口和混合信号集成能力；在“思考”环节，系统要处理信息并实时决策，需要超低功耗、实时计算、低漏电、可配置功耗与性能，以及集成MRAM和RRAM；在“行动”环节，系统要通过电机、驱动和执行器执行命令，需要快速、确定性的控制，密集I/O、高速接口和集成控制能力；在“通信”环节，系统要在内部和外部共享数据与状态，需要安全、多标准RF连接，高性能RF、多频段以及安全的模拟和RF IP。这些要求意味着，物理AI不是单一芯片或单一环节的升级，而是从传感、计算、控制到连接的系统性创新。
在这一背景下，Tim Breen重点阐述了FD-SOI技术与物理AI的契合度。他表示，格罗方德的FDX™ FD-SOI平台汇聚了物理AI系统最需要的能力。首先是功率效率。FD-SOI具备低漏电和动态功耗－性能控制，专为常开运行设计，适合对功耗敏感、需要持续在线的应用。其次是RF性能。FD-SOI具有低失配和强RF性能，使传感与通信能够在同一平台上实现，有助于降低系统复杂度并提升集成度。第三是集成内存。FD-SOI集成MRAM和RRAM非易失性存储器，减少对外部存储器的依赖，支持实时和常开工作负载。这些优势使FD-SOI能够覆盖从可穿戴设备、医疗设备、电池供电传感器、工业监控，到汽车雷达、车联网、工业连接、智能基础设施，再到软件定义汽车、工业自动化、智能边缘设备和机器人等广泛场景。
“物理AI已经到来。”Tim Breen在演讲中强调。随着AI从基础设施走向物理世界，半导体创新的下一波浪潮正在开启。FD-SOI凭借功率效率、RF性能和集成内存等综合优势，有望成为支撑物理AI系统的重要技术底座。对于产业而言，这意味着芯片设计、系统架构和应用生态需要更紧密地协同，也意味着FD-SOI将在智能边缘和物理AI系统中迎来新的增长空间。
“让我们群策群力，共同践行！”展望未来，Tim Breen表示，FD-SOI将从今天的智能边缘走向明天的物理AI系统，新一代FDX创新已在路上。其中包括先进材料和器件、集成AI内存、下一代RF和量子、3D系统集成等方向。具体来看，材料和应变创新将带来更高性能与更低功耗；嵌入式内存将支持边缘AI和存内计算；RF创新将服务5G/6G连接和新兴量子系统；3D异质集成将把传感、计算和内存更紧密地结合在一起。这些技术路径将共同推动FD-SOI平台能力升级，为物理AI提供更完整的半导体解决方案。
