三星电子已全面启动抢占HBM4市场先机的战略，成为全球首家成功量产并出货第六代高带宽内存（HBM4）的企业。
2月12日，三星电子于宣布，公司已开始出货全球首批量产的业界最高性能HBM4产品。通过与客户的紧密协商，三星电子将原计划在农历新年假期后的HBM4量产和出货时间表提前了约一周。
从HBM4开发的初期阶段起，三星电子就一直追求超越JEDEC标准的性能目标。
据报道，这款最新产品率先采用了最先进的1c DRAM工艺，从量产初期就确保了稳定的良率和业界最高水平的性能，无需重新设计。
三星电子一直收到来自全球主要GPU制造商和自主设计开发芯片的客户对HBM供应合作的请求，并计划在未来进一步扩大与这些合作伙伴的技术合作。
此外，该公司预计今年的HBM销售额将比2025年增长三倍以上，并正在预先扩大其HBM4的生产能力。
三星电子存储器开发执行副总裁Hwang Sang-jun强调，"三星电子的HBM4打破了应用以往验证过的工艺的先例，采用了1c DRAM和4nm晶圆代工等最先进的工艺技术。"他补充道，"通过工艺竞争力和设计改进，我们为性能扩展确保了充足的空间，使我们能够及时满足客户对增强性能的需求。"
