中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）近日发布的2025年第三季度报告显示，公司业绩实现强劲增长：2025年前三季度营业收入达80.63亿元，同比增长46.40%；归母净利润为12.11亿元，同比增长32.66%。其中，第三季度营收31.02亿元，同比增长50.62%；归母净利润5.05亿元，同比增长27.50%。
值得关注的是，公司薄膜设备业务呈现爆发式增长——LPCVD和ALD等薄膜设备收入达4.03亿元，同比增长约1332.69%。这一细分品类的表现尤为抢眼：从2023年仅收获1台订单，到2024年发货128台，再到2025年前三季度营收突破4亿元，中微公司的薄膜设备实现了真正意义上的“火箭式增长”。
逐渐攻克技术制高点
薄膜沉积设备作为芯片制造的核心装备，尤其在10纳米及以下先进逻辑制程以及3DNAND/TLC等高端存储工艺中，对芯片结构精度、性能表现和可靠性具有决定性影响。从栅极介质层的原子级堆叠，到互连金属层的均匀覆盖，该领域技术壁垒高企，被视作半导体设备中的技术制高点。这一价值高地长期被应用材料（AMAT）、泛林半导体（LAM）和东京电子（TEL）等国际巨头牢牢占据，是国内芯片产业链中最关键的“卡脖子”环节之一。
其中，LPCVD（低压化学气相沉积）与ALD（原子层沉积）技术凭借优异的薄膜均匀性、台阶覆盖能力和厚度控制精度，已成为先进制程中不可或缺的关键工艺装备，其性能直接影响芯片的漏电率、开关速度和存储密度等核心参数。
自2010年正式布局薄膜沉积设备以来，中微公司就制定了以MOCVD设备积累产业经验、聚焦LPCVD/ALD核心领域、前瞻布局集成化设备的三步走战略，构建了涵盖导体、介质、金属等多种薄膜类型的完整产品规划，累计规划开发近40种面向不同工艺场景的薄膜沉积设备，全面覆盖先进逻辑芯片、3D存储及功率半导体等关键应用领域。
目前，其研发成功的9种核心设备中，已有6款在先进逻辑和存储芯片产线上通过头部客户验证，并实现超过一年的大规模稳定量产，其产品可靠性获得了最苛刻的终极认可。核心产品如ALD钨金属沉积设备，在关键性能参数上已达到国际领先水平，不仅实现了国产零的突破，更开始系统性地为国内晶圆厂降低采购成本、保障供应链安全。
高研发驱动“刻蚀+薄膜”协同创新
技术突破的背后，是远超行业平均水平的高强度研发投入。根据2025年前三季度财报数据，中微公司研发支出达25.23亿元，同比增幅63.44%，研发费用率（研发支出占营业收入比重）攀升至31.29%。这一比例不仅显著高于科创板半导体行业平均水平（2024年约15%-20%），即便对标应用材料、东京电子等全球顶级半导体设备商（研发费用率通常维持在18%-25%），也处于前列。
研发周期方面，中微公司通过核心技术模块的复用与流程优化，将高端薄膜沉积设备的典型开发周期从行业普遍的3-5年压缩至2年以内，使其能够快速响应台积电、中芯国际、长江存储等头部晶圆厂在先进制程、3DNAND存储工艺上的设备需求，为后续技术落地与市场突破奠定效率基础。
但高端半导体设备的市场放量，核心在于信任体系的构建与产业生态的适配，这是中微薄膜设备快速打开市场的核心逻辑。截至2024年底，其中微刻蚀设备已进入全球超100条12英寸及8英寸芯片生产线，覆盖逻辑芯片、存储芯片、功率半导体等多领域，且经过至少3年以上的大规模量产验证，设备稳定性与良率控制能力得到行业认可。
与此同时，中微公司通过前瞻性战略布局进一步放大市场优势。针对部分高端设备进口受限的行业现状，公司于2023年明确系统规划20余种受限设备（含LPCVD、ALD等关键薄膜设备）的自主研发路径，制定“2029年前完成核心型号攻关并实现量产”的目标。另外，据行业调研数据，2025年国内晶圆厂对国产薄膜设备的采购优先级较2023年提升约40%，进一步加速中微薄膜设备的市场渗透。
向“原子级控制”和定制化设备跨越
刻蚀设备下一轮首要突破方向是适配先进制程与新兴场景：在3nm及以下先进逻辑芯片领域，需攻克单原子层精度刻蚀、超高深宽比（90:1以上）结构加工难题，满足3D晶体管架构需求；在第三代半导体领域，要突破碳化硅、氮化镓等硬脆材料的低损伤刻蚀技术，适配功率器件与射频器件量产；同时需拓展Chiplet先进封装中的RedistributionLayer（RDL）刻蚀、硅通孔（TSV）刻蚀等新应用，填补细分赛道空白。
国际头部厂商凭借技术积累深度主导高端市场：应用材料（AMAT）在3nm及以下制程刻蚀设备市占率超40%，其原子层刻蚀（ALE）技术已实现量产，且率先推出适配Chiplet封装的TSV刻蚀解决方案；东京电子（TEL）聚焦3DNAND存储领域，超高深宽比介质刻蚀设备占据全球60%以上份额，同时在第三代半导体刻蚀设备领域与英飞凌、意法半导体深度合作；泛林半导体（LAM）则在逻辑芯片与存储芯片刻蚀设备领域均衡布局，其5nm刻蚀设备已进入台积电、三星供应链。
国产厂商正加速在中高端领域突破，形成差异化竞争：中微公司是国内唯一实现7nm及以下先进制程刻蚀设备量产的企业，90:1超高深宽比刻蚀设备已适配长江存储3DNAND产线，同时在第三代半导体刻蚀设备领域出货量领先；北方华创聚焦28nm-14nm成熟制程，刻蚀设备已进入中芯国际、华虹半导体量产线，且正在攻关5nm技术；此外，芯源微、盛美上海等厂商则从后道封装刻蚀、特殊材料刻蚀等细分赛道切入，逐步构建国产刻蚀设备生态。
