据香港科技大学霍英东研究院消息，近日，拓诺稀科技完成天使轮融资。本轮融资数百万元人民币，由力合科创领投。拓诺稀科技此次融资将用于引进先进设备，提升MOCVD和mist-CVD技术路线的产能，以满足快速增长的市场需求。
2022年，为填补国内在氧化镓技术上的不足，广州拓诺稀科技有限公司在广州南沙成立。拓诺稀科技由陈子强教授发起成立，团队成员均为港科大（广州）的博士人才。
据悉，拓诺稀科技聚焦于氧化镓外延薄膜的制备与高性能半导体器件的研发，依托港科大（广州）的技术和研究平台，致力于推动氧化镓在新一代半导体技术中的应用。通过持续的技术创新与研发，拓诺稀科技为下游产业提供高质量的外延生长服务及器件结构设计与制备服务。
拓诺稀科技提供的核心产品涵盖高性能氧化镓肖特基二极管（SBD）及其他新型半导体器件。该公司采用MOCVD和mist-CVD双重技术路线，能够制备多种相态（β相、α相、ε相）氧化镓薄膜，并实现精确的合金化与掺杂工艺。在关键指标如均匀性、表面粗糙度、膜厚、掺杂浓度等方面达到国际先进水平。
氧化镓（Ga₂O₃）作为一种具有超宽禁带的半导体材料，在高压功率电子、射频通讯、光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。氧化镓凭借其高击穿电场强度和高热导率，为高功率和高频应用带来了显著的优势，成为新一代半导体材料中的热门研究方向。
