台积电助攻，联发科挺进2nm世代。新思科技11月6日提到，联发科采用新思科技以AI驱动的电子设计自动化（EDA）流程，用于2nm制程上的先进芯片设计。
业界分析，联发科在3nm 5G旗舰芯片推出脚步领先高通，这次2nm能否再领先，备受关注。新思科技近日宣布持续与台积电密切合作，并利用台积电最先进的制程与3DFabric技术提供先进的EDA与IP解决方案，为AI与多晶粒设计加速创新，联发科并与新思科技扩大协作，使设计人员在台积电2nm制程上开发，满足高性能模拟设计硅芯片需求。
联发科副总经理吴庆杉表示，与新思科技扩大协作，得以充分发挥他们以AI驱动流程的潜力、加速在设计迁移与优化方面的努力，并提升将领先业界的系统单芯片导入各垂直市场所需的流程。
台积电生态系统与联盟管理主管Dan Kochpatcharin则表示，与新思科技的各种AI驱动EDA套件及通过硅认证IP协作取得的成果，协助共同的客户大幅提升生产力，并为先进AI芯片的设计带来显著的成果。
台积电持续推进2nm 2025年量产的目标。台积电先前提到，2nm将如期在2025年进入量产，其量产曲线预计与3nm相似。
台积电先前在法说会上曾提到，2nm制程技术研发进展顺利，设备性能和良率皆按照计划甚或优于预期。台积电并预期2nm技术，在头两年的产品设计定案（tape outs）数量将高于3nm和5nm的同期表现。
随着联发科也积极采用台积电2nm，外界看好联发科积极在AI相关领域发力的效益，首席执行官蔡力行先前指出，在AI趋势引领下，边缘运算和云端运算正迅速展开，拥有数据中心的企业，为降低整体拥有成本（TCO），都积极采用定制化芯片，联发科也通过有弹性的ASIC商业模式，来满足客户需求。
