世界斥资24亿元新台币参与汉磊私募双方结盟合作研发及制造8英寸SiC

来源:经济日报 #晶圆#
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汉磊与世界先进今天举行董事会,会后发布重讯双方宣布策略合作,共同推动化合物半导体碳化硅(SiC)8英寸晶圆技术研发与生产制造;世界将斥资新台币24.8亿元,认购汉磊5000万股私募普通股,取得13%股权。

汉磊发表声明表示,这次与世界先进合作将以8英寸碳化硅半导体晶圆制造技术开发及未来量产为主,相关技术初期由汉磊转移,预计2026年下半年开始量产。

汉磊指出,碳化硅材料可以有效提升能源效率,可广泛应用于电动车、AI资料中心、绿能储能、工控及消费产品。透过结合与世界先进的技术优势和市场资源,将可创造更大价值。

汉磊董事长徐建华透过新闻稿说,汉磊集团的嘉晶与世界是长期硅磊晶的合作伙伴,这次透过引进世界先进入股,将使彼此策略合作更加紧密。

世界董事长方略表示,世界目前已有电源管理IC、分离式元件及氮化镓(GaN)相关技术,随着导入碳化硅技术,将成为完整第3类化合物半导体的8英寸晶圆厂,提供从低功耗到高功率、低频到高频的完整电源管理技术平台,为客户提供更具竞争力的解决方案。

方略指出,希望能为客户的产品提供更具竞争力的全方位解决方案。 此外,世界先进也期许透过与汉磊携手研发创新绿能技术,为实现低碳永续的未来尽一份心力。

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