天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司“沟槽型功率器件结构及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118380411A。
本发明提供一种沟槽型功率器件结构及其制造方法，在半导体衬底内形成第一沟槽和自所述第一沟槽的底部向下延伸的第二沟槽，第一沟槽用于填充栅极，第二沟槽用于填充介质层，所述第一沟槽包括缩口区段，缩口区段从顶部至底部开口宽度逐渐减小，如此，可使得相邻栅极沟槽之间通过离子注入所形成的发射极区的面积增大，从而可以解决现有技术中因发射极区面积过小而影响阈值电压正常开启的问题。
