泰科天润“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”专利获授权

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天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司近日取得一项名为“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”的专利,授权公告号为CN117995686B,授权公告日为2024年6月14日,申请日为2024年4月2日。

本发明提供了一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法,包括:在碳化硅衬底的一侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底另一侧面淀积生长,形成漂移层;淀积阻挡层,对阻挡层,离子注入,分别形成阱区、JFET控制区以及源区;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及阱区,之后进行淀积,形成栅极介质层、第二栅极金属层、第一栅极金属层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀形成通孔,通过通孔淀积金属,形成源极金属层,能实现器件的快速开启。

责编: 赵碧莹
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