联电推嵌入式高压工艺22eHV,以面向显示器驱动芯片

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当地媒体20日报道,联电今日宣布,推出22nm嵌入式高压(eHV)技术平台,面向显示器驱动芯片领域。

为迎接AMOLED应用于智能手机上的成长需求,联电推出22nm的eHV平台,相较于28nm的eHV制程,耗能降低达30%。新的显示器驱动芯片(DDIC)解决方案不仅具备业界最小的SRAM位元,缩减芯片面积的同时,加速高分辨率图像的处理速度与回应时间。

报道指出,除22nm外,联电的开发团队正持续将eHV产品组合扩展到FinFET制程,以因应显示器未来发展趋势。目前,联电在28nm小尺寸面板DDIC的全球纯晶圆代工市占率超90%。(校对/陈炳欣)

责编: 陈炳欣
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