国际大厂纷纷投入HBM制造,挤压标准型DRAM产能

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英特尔和AMD都预计于2024年推出搭载DDR5的新平台,带动新一波的换机潮与AI PC的发展。大型服务器、数据中心和高阶工作站等需要高速及大容量的DRAM,以实现更快的数据存取速度,进一步促进DRAM需求,根据市调机构集邦科技统计,DRAM受惠产品合约价上扬,第1季营收183.5亿美元、季增5.1%, DRAM三大供应商三星、SK 海力士、美光第一季受淡季效应影响出货同步减少,加上库存水位正常,意图延续2023年第四季合约价上涨的氛围。

但为了加速推广AI技术广泛应用,国际大厂纷纷投入高频宽记忆体(HBM) 制造,挤压标准型DRAM产能,摩根士丹利就预测,2025年将出现前所未见的DRAM 供需失衡「超级周期」,并将今年第三季DRAM 和NAND Flash芯片价格涨幅预估由原预期的8%和10%,调升至13%和20%。瑞银证券最新报告也认同国际DRAM大厂抢攻HBM,造成标准型DRAM产能排挤效应,将推升产业迈向上升周期。

责编: 邓文标
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