SK海力士:HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率

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据businesskorea报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。

SK海力士生产主管Kwon Jae-soon表示:“我们已经成功地将HBM3E芯片量产所需的时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率。”

这标志着SK海力士首次公开披露HBM3E的生产信息。此前,业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之间。

Kwon Jae-soon强调:“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能(AI)时代,提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”

制造HBM需要垂直堆叠多个DRAM,与标准DRAM相比,工艺复杂性更高。特别是HBM3E的关键部件硅通孔(TSV)的良率一直较低,在40%~60%之间,使其改进成为重大挑战。

继向AI半导体领导者英伟达近乎独家供应HBM3后,SK海力士于今年3月份开始供应8层HBM3E产品,并计划在今年第三季度供应12层HBM3E产品。12层HBM4(第六代HBM)产品计划于2025年推出,16层版本预计将于2026年投入生产。

快速增长的人工智能市场推动SK海力士下一代DRAM的快速开发。到2023年,主要用于人工智能应用的HBM和大容量DRAM模块按价值计算将占整个存储市场的5%左右。SK海力士预测,到2028年,这些AI存储产品将占据61%的市场份额。

(校对/刘昕炜

责编: 张杰
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