井芯微完成超亿元B轮融资,致力于新基建核心芯片研制生产

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5月20日,井芯微电子技术(天津)有限公司(以下简称:井芯微电子)官宣于近日完成了超亿元B轮融资,此轮融资由红石创投领投,国鼎资本、晨晖资本、久友资本参投。

井芯微电子于2020年在天津市滨海新区成立,致力于中国新基建核心芯片研制、生产和销售。井芯微提出了软件定义互连、内生安全和类脑计算、数据中心(软件定义晶上系统)四大战略方向,形成了新型研发机构、孵化平台、创新联盟、商业公司“四位一体”的独特模式,荣获天津市科学技术进步特等奖。 

井芯微电子官方消息显示,目前产品包括RapidlO系列、PCIE系列、网卡系列、FC系列、以太网系列、SDI系列、内生安全系列等。

据介绍,井芯微电子目前已申请各类知识产权100余项,获得发明专利授权69项、受通122项。已成功研发出RapidIO交换芯片NRS1800、软件定义互连交换芯片ST3210、内生安全交换芯片ESW5610、桥接芯片PRB0400等多款芯片,同时在研芯片10余款。井芯微电子行业客户拓展超过300多家,产品广泛应用于5G基建、人工智能、大数据中心、能源、交通、工业互联网等领域。

2023年1月,井芯微电子宣布完成深创投集团等8家机构参与的A轮超亿元融资,此轮融资将助力井芯微电子自主高端芯片产品的研发、研发体系建设、及开发环境的升级等。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣
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