SK海力士:HBM4E存储器提前一年量产

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据韩媒Pulse News报道,SK海力士5月13日宣布,将从2026年开始量产第七代高带宽存储器HBM4E,这比此前的计划提前一年。

SK海力士先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook在近日于首尔举行的IEEE 2024国际存储研讨会上宣布了这一消息。他表示,“虽然HBM一直是每两年推进一次,但从第五代产品HBM3E开始,产品周期已缩短为一年。

业内人士预测,HBM4E堆叠层数将增至16~20层,此前SK海力士已计划在2026年量产16层HBM4产品,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术实现更高堆叠层数。

据悉,混合键合技术通过消除芯片之间的凸块来堆叠更多的DRAM,此前SK海力士表示,将应用Advanced MR-MUF(先进大规模回流模制底部填充)技术直至HBM4。

Kim Kwi-wook表示,“对于HBM4,我们正在研究混合键合技术与主要的工艺相结合,但目前为止良率不高。如果用户需要超过20层的产品,由于厚度限制,我们可能需要探索新的工艺。”

行业观察人士预测,SK海力士有望首次将10nm制程的第六代(1c)DRAM应用于HBM4E,这将显著提高存储容量。

(校对/孙乐)

责编: 张杰
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