三安半导体“用于气相沉淀中的真空控制系统”专利获授权

天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司近日取得一项名为“用于气相沉淀中的真空控制系统”的专利，授权公告号为CN220907627U，授权公告日为2024年5月07日，申请日为2023年8月18日。

一种用于气相沉淀中的真空控制系统，包括：真空泵，反应腔，反应腔与真空泵之间设置有气体管道；设置在所述气体管道上的真空阀；电磁阀，其与真空阀之间设置有第一CDA气管通道以及第二CDA气管通道；电路开关器件和开关控制电路，开关控制电路被配置为基于任一相电缆中的电流信号指示真空泵停机时驱动电路开关器件断开，以控制CDA气体从第一CDA气管通道进入真空阀而关闭真空阀，和/或，开关控制电路被配置为基于任一相电缆中的电流信号指示真空泵运行时驱动电路开关器件闭合，以控制CDA气体从第二CDA气管通道进入真空阀而开启真空阀。通过本实用新型的技术方案，可以减少真空泵停机导致气流倒灌污染反应腔的情况的发生。