华虹宏力“半导体器件的制备方法”专利获授权

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天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“半导体器件的制备方法”的专利,授权公告号为CN113628958B,授权公告日为2024年4月23日,申请日为2021年7月29日。

本申请公开了一种半导体器件的制备方法,包括:通过静电吸盘吸附晶圆,晶圆用于制备半导体器件;对晶圆进行预设的制备工序,该制备工序包括第一阶段和第二阶段,第一阶段中的功率为第一功率,第二阶段中的功率为第二功率,第一功率大于第二功率;通过静电吸盘释放晶圆;其中,在第一阶段中施加于静电吸盘的电压为第一电压,在第二阶段中施加于静电吸盘的电压为第二电压,第一电压的绝对值小于第二电压的绝对值。本申请通过在半导体器件的制造过程中,在预设的制备工艺的不同功率阶段在静电吸盘上施加不同的电压吸附晶圆,能够保证晶圆在工艺过程中具有合适的吸附力,降低了晶圆“跳片”几率,提高了产品的良率。 

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