天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“一种延时控制电路、方法和半导体存储器”专利公布，申请公布日为2024年4月16日，申请公布号为CN117894351A。
本公开实施例提供了一种延时控制电路、方法和半导体存储器，该延时控制电路包括译码模块和延时模块，其中：译码模块，用于接收模式寄存器信号，对模式寄存器信号进行译码处理，生成至少一个译码信号；延时模块包括至少一个延时子模块，用于根据至少一个译码信号从至少一个延时子模块中确定被选择的目标延时模块，根据目标延时模块和外部时钟信号对接收到的初始命令信号进行延时处理，得到目标命令信号；其中，目标命令信号与初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件。这样，该延时控制电路能够利用模式寄存器信号来选择目标延时模块，从而保证命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件，进而提升存储器性能。
