天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“半导体结构、切割道结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月12日，申请公布号为CN117690786A。
本发明提供了一种半导体结构、切割道结构及其形成方法。其中所述切割道结构的形成方法包括：在衬底上形成堆叠层，并定义出多个待修剪区域，且每个待修剪区域至少覆盖一个待修剪图形；在所述待修剪区域的基础上实现所述堆叠层的刻蚀和待修剪图形的修剪。即本发明通过形成堆叠层并定义出待修剪区域，能够实现对待修剪图形的修剪，且能够缩小待修剪图形修剪后造成的台阶高度，降低负载效应，减少缺陷，进而提高产品的良率。
