华润微电子“一种GaN基HEMT器件及制作方法”专利公布

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天眼查显示,华润微电子(重庆)有限公司“一种GaN基HEMT器件及制作方法”专利公布,申请公布日为2024年4月5日,申请公布号为CN117832254A。

本发明提供一种GaN基HEMT器件及制作方法,该方法包括:于衬底上形成外延叠层,于外延叠层上形成栅极、漏极与源极,于衬底上形成环绕于器件有源区的屏蔽环层,并形成第一金属互连层与第二金属互连层实现衬底与源极的短接,于第二金属互连层上形成钝化保护层,基于第二金属互连层和钝化保护层形成源极与衬底共用焊盘、漏极焊盘与栅极焊盘。本发明的GaN基HEMT器件及制作方法中,通过于芯片内部形成互连结构实现衬底与器件源极短接,无需单独设置衬底焊盘来实现衬底接地,提高了源极焊盘与漏极焊盘对芯片面积的占比,不仅提升电流导通能力,进一步降低寄生参数,并且提高电流分布均匀性,有利于改善器件的热分布,提高器件可靠性。


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