中芯国际“半导体结构的形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司“半导体结构的形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月15日，申请公布号为CN117712039A。

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有伪栅极结构；所述伪栅极结构侧部的所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述伪栅极结构的侧壁；在所述层间介质层的顶部形成保护层，所述保护层暴露所述伪栅极结构的顶部，所述保护层的材料为金属或金属化合物；形成所述保护层后，去除所述伪栅极结构，形成露出所述基底的栅极开口；去除所述伪栅极结构后，去除所述保护层；在所述栅极开口内形成器件栅极结构，且所述器件栅极结构的顶面与所述层间介质层的顶面相齐平。本发明在层间介质层的顶部形成的保护层有利于后续形成的器件栅极结构的高度能够满足工艺需求，进而有利于提高半导体结构的性能。