中芯国际“光电探测器及其形成方法”专利公布

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天眼查显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司“光电探测器及其形成方法”专利公布,申请公布日为2024年4月16日,申请公布号为CN117894868A。

一种光电探测器及其形成方法,光电探测器包括:衬底;位于衬底上的介质层;位于介质层内和衬底内的凹槽,所述凹槽侧壁暴露出部分衬底和介质层;位于凹槽底部表面的形核层;位于形核层表面的缓冲层;位于缓冲层上的体相层,所述体相层位于所述凹槽内。所述光电探测器的质量得到改善。

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