一份最新的报告指出，高通将在2025年与三星合作开发其旗舰芯片。
据称，高通已要求三星在其 2 纳米 SF2 节点上制造智能手机 AP。三星的路线图指出，该工艺使用其GAA MBCFET（全环绕多桥通道场效应晶体管）技术，并将于2025年投入大规模生产。一年前，Exynos 2500 据称在当前一代三星 3GAP 节点上上装配线。报告补充说，它的继任者Exynos 2600（暂定）也将在同一SF2节点上生产。
高通还要求台积电开发其2纳米芯片。台积电的路线图指出，其基于 GAAFET 的 2 纳米 N2 节点应在 2025 年准备就绪。然而，可用性最初可能是一个问题，因为像苹果这样的玩家历来在新节点上获得其最大份额的容量。这可能会迫使高通在其 2025 年的产品中考虑像 N4P 这样的旧节点。如果台积电缺乏容纳高通的能力，那么有问题的 2 纳米 SoC 有可能被推迟到 2026 年。
