佳能纳米压印技术挑战EUV，台积电、联电 、光罩有机会受益

日本半导体设备大厂佳能日前宣布推出采用纳米压印 (Nano-imprint Lithography，NIL) 技术的光刻设备FPA-1200NZ2C。佳能表示纳米压印光刻设备可用来生产最先进的5纳米存储器芯片，期望改良后可以进一步用于生产2纳米的产品，试图挑战半导体设备龙头厂ASML的地位。

目前全球前三大光刻机设备制造商分别为:日本的佳能、尼康和荷兰的ASML。佳能、尼康都是百年老牌相机制造商，ASML 则于1984成立，却后发制人，是全球唯一能量产EUV(极紫外光)光亥技术的设备厂商。EUV 光刻机是半导体先进制程5纳米以下不可或缺的关键设备。

2022 年前三大光刻机设备厂共出货551 台，总营收196亿美元。ASML卖出345台，光刻营收为161亿美元; 佳能售出176台，营收20亿美元; 尼康则售出30台，营收为15亿美元。

纳米压印与封蜡印章的原理类似，先在表面涂布光阻剂，再用做好的光罩模具压下，可以做出想要的图案。因为纳米压印的模具能够重复压印，适用于大量制作光盘、芯片及太阳能电池内的微细结构。佳能为纳米压印微影技术研发出最佳的光阻剂材料，以及用于压印的纳米级对准技术，还实现清洁半导体的微粒控制技术，相较于已商用化的EUV技术，NIL技术的耗电量只需EUV的十分之一，金额只需EUV的40%，大幅减少耗能，并降低设备成本。

由于纳米压印微影技术需要使用软性材质的光阻剂材料，适合使用在规则性结构如DRAM 与NAND FLASH，而逻辑芯片只有少部分的结构可以使用，故纳米压印技术仍无法完全取代 EUV光刻技术。

台积电是全球最大的晶圆代工厂，在半导体制造领域具有领先地位，使用纳米压印技术来降低晶圆制造的成本，对晶圆厂是一大利多。联电在成熟制程尤其14纳米维持领导地位，是 纳米压印技术的直接受益者。光罩是全球最大的掩膜制造商，纳米压印微影技术需要使用专用的光罩，将有机会受惠。总而言之，EUV 技术目前仍是先进制程的唯一选择，但纳米压印技术具有成本低、减少碳排放的优势，若能在一定良率下成功开发量产，有望在未来成为 EUV 技术的替代方案。