【芯融资】融资遇冷,射频赛道仍具长期投资价值?

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集微咨询统计显示,2023年7月发生超44起“芯融资”事件,融资总规模超40亿元,融资事件与总融资规模呈同比、环比皆呈现双降趋势。其中,射频赛道融资事件占比为12%,为7月最热赛道。

融资情况

高额融资事件

7月,披露具体融资额的事件中,琻捷电子、辉羲智能、国微芯等企业的新一轮融资规模较高。其中,琻捷电子D轮融资规模超5亿元,赛晶半导体A轮融资达1.6亿元,辉羲智能、国微芯、中安半导体、时代速信、爱矽科技、泽丰等企业新一轮融资皆达数亿元规模。

活跃资本

7月,中芯聚源、中国互联网投资基金、深圳高新投、峰瑞资本等机构接连投注多家半导体企业。

热门地区

从7月各地“芯融资”事件来看,北京数量最多,超10起;江苏次之,超9起;广东、上海并列第三,皆超7起;TOP2省份(城市)占比近44%,TOP4省份(城市)占比高达75%。

热门赛道

射频

射频前端芯片涵盖广泛,包含功率放大器、滤波器、双工器、低噪声放大器、开关等,射频前端芯片门槛较高,技术难度高、研发时间长。

5G时代,5G 手机中射频前端的模组化趋势更加明显,L-PAMiF、L-PAMID等模组得到广泛应用。其中,L-PAMiD难度较高,主要为海外厂商垄断。

国内来看,不少企业都在加快突破,从多家公司披露的2023年半年度报告来看:卓胜微称公司不断提升射频滤波器、射频功率放大器及其模组能力,助推射频前端中技术复杂度、集成度最高的“明珠型”产品 L-PAMiD研发;唯捷创芯披露报告期内,其自主研发的L-PAMiD产品实现了批量出货,成为国内率先实现向头部品牌客户批量销售该产品的企业;慧智微表示成功量产了5G重耕频段L-PAMiD产品....

对于目前国内较“卷”的射频赛道,是否仍具有长期投资价值?笔者采访了不同的产业人士,观点不一,喜忧参半。例如一位资深产业分析师讲到,汽车领域为射频市场带来新的增量,长期看随着汽车智能化程度提升,空间很大。但短期其和手机等消费电子产品相比,体量还是有限。主要是目前国内射频前端行业整体竞争格局较差,行业太“卷”,所以短期来看投资价值不大。

7月射频领域融资事件:

左蓝微电子完成B轮融资,由华润旗下润科基金领投。该公司围绕SAW和BAW等技术路线进行产品布局,已积累丰富的设计、研发经验,研发出适用不同场景的滤波器和射频模组产品,成为国内少数在各类射频滤波器(SAW、TC-SAW、PESAW、PEBAW)及射频模组的本土厂商。

时代速信完成新一轮数亿元股权融资,由金融街资本领投,老股东国投创业和善金资本追投,华西证券和深投控等资本跟投。该公司是国内少数能够提供Si RF、二代及三代化合物半导体射频微波芯片、模组的厂商,自主研发了射频微波芯片、微波集成电路、低成本毫米波SiP模组等系列产品。

芯百特完成新一轮近亿元融资,投资方包括扬州启正、无锡惠开、惠之成等。芯百特已具备CMOS/SOI/GaAs/SiGe/GaN等多种工艺的设计能力,能够研发设计PA/LNA/SW/FEM/滤波器/MEMS等各种器件。

地芯科技完成近亿元B轮融资,由润城资本,众海投资、中润投资、深圳高新投共同参与完成。地芯科技核心技术产品线包括了无线通信收发机芯片产品线,拥有全面自研IP技术平台,其中地芯风行系列产品丰富,可拓展性极佳,独特低功耗技术行业领先,功耗大幅降低的同时实现成本优化。

超材信息完成A5轮融资,融资主要用于FAB厂的启动及补充流动资金。该公司致力于高性能SAW滤波器和双工器等系列射频前端芯片的研发设计、生产制造和销售,产品广泛应用于4G、5G移动终端和物联网模组等领域。

存储

存储芯片具有较强的周期性,2022年下半年以来存储芯片市场持续下行,TrendForce数据显示,DRAM平均价格在2022年第三季度暴跌31.4%,在第四季度跌幅扩大到34.4%。据Yole预计,存储半导体市场有望在2023年四季度迎来复苏。

7月存储领域融资事件:

大唐存储完成首期外部融资,引入国资战略新股东。该公司拥有一支在芯片领域已深耕20余年的核心技术成员及固态存储固件开发的专家团队,拥有自主IC设计能力和底层固件研发能力。大唐存储提出国际首创的多芯片合一的超聚合安全存储创新技术,并应用于存储控制器芯片。

铨兴科技完成首轮战略融资,由力合科创集团有限公司独家投资。该公司同时涵盖DRAM和NAND Flash两大领域,旗下设有国际出货平台、铨天智能制造基地。其中,铨天智能制造基地涵盖先进的芯片封装测试产线、PCBA模组制造产线、工程测试中心以及技术研发中心。

致真存储完成数千万元Pre-A轮融资,投资方包括俱成资本、中国互联网投资基金、京鹏投资等。致真存储团队在自旋存储芯片领域具有近二十年的科研基础,专注于前沿MARM自旋存储芯片的技术研发和生产。该团队提出并实现了一种自旋轨道矩-自旋转移矩协同翻转磁矩的MRAM数据写入方法,构建了高密度MRAM产品的设计。(校对/项睿)

责编: 赵碧莹
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