研究机构TECHCET日前发布预测，指出ALD/CVD薄膜沉积工艺所必需的前驱体材料市场将持续高速增长，金属前驱体的5年复合年增长率将达到7%，高介电常数（High-K）前驱体为 5%，介质前驱体市场为8%。
该机构指出，前驱体材料增长受到ALD和CVD工艺新材料日益增长的兴趣和需求的影响，器件生产商不断寻找旨在提高成本和性能的新制造解决方案，而ALD/CVD解决方案处于此类努力的最前沿。
该机构特别谈到，钨的使用很大程度上受到3D NAND垂直缩放和所有细分市场晶圆投片数量增加的推动。六氟化钨WF6供需预计将在2023年保持平衡，但预计WF6的供应到2025年将受到限制，并在2026年面临短缺威胁。如果钼(Mo)固体前驱体开始取代WF6并从研发转向大规模生产，可能会缓解潜在的短缺问题。不过Mo的应用前景仍不确定，因为晶圆厂需要看到等于或优于WF6的成本和性能。
该机构还指出，改进器件的技术变革的其他关键领域包括晶体管的新材料，例如高κ栅极电介质、金属栅电极、沟道和沟道材料的应变/应力外延、存储单元和高κ电容器、互连布线、势垒、种子层、覆盖层、绝缘体和光刻。新出现的挑战是由材料（例如，Hf、Zr、La、Co、Ru、Mo）和工艺（例如，ALD和等离子体辅助方法）解决的持续尺寸缩放带来的。
