3月16日，浙江晶能微电子有限公司发文称，其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。
据介绍，该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和FS结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗，功率密度增大约35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。
资料显示，晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新，以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级IGBT芯片及模块、SiC器件、中低压MOSFET等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能等“双碳”产业场景。
2022年12月15日，晶能微电子宣布完成Pre-A轮融资。本轮融资由华登国际领投，嘉御资本、高榕资本、沃丰实业等机构跟投。该轮融资主要用于功率半导体模块的研发投入、产线建设以及技术团队搭建等方面。
今年1月12日，吉利科技集团与积塔半导体签订战略合作协议，双方将围绕车规级芯片研发、制造、市场应用、人才培养等领域开展全面合作，共同致力于车规级芯片产业的协同发展。
（校对/占旭亮）
