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【专利解密】喻芯半导体全面布局存储市场

来源:爱集微

#专利解密#

07-22 10:22

【嘉勤点评】喻芯半导体的存储专利,通过采用可调整缓存加多通道处理架构,解决了现有技术中的一颗存储主控架构无法适用不同类型和页容量的闪存颗粒的问题,以及大幅提高存储主控架构的读写性能。

集微网消息,喻芯半导体自今年与慧荣科技建立合作伙伴关系以来,加速存储产业链布局,以所拥有的技术、行业资源、市场和客户为基础,全面研发存储产品,已拓展至多种数据存储应用领域。

随着闪存存储的快速发展,产生了多代闪存颗粒产品,由于以前闪存存储系统应用时,采用不同的软件设计以及不同厂家的Host端主机设计,导致数据传输块的大小也会存在不一致。因此,在设计使用基于不同型号的闪存颗粒的存储主控架构时,往往会无法实现兼容以及方便快捷的应用。此外,当前存储主控架构也存在多种接口协议,每个协议分别支持不同的存储卡,在数据处理时存在较大差异,因此目前很难有一种能适用于不同的存储接口与容量的闪存存储主控架构。

为此,喻芯半导体于2021年12月30日申请了一项名为“一种存储主控架构及闪存颗粒控制方法”的发明专利(申请号: 202111652367.8),申请人为武汉喻芯半导体有限公司。

图1 存储主控架构结构示意图

图1为存储主控架构的结构示意图,存储主控架构适配不同类型及页容量的闪存颗粒,主要包括高速存储主控接口模块、可调整缓存及控制模块、写数据通道处理模块、读数据通道处理模块、闪存接口模块和固件控制模块。

其中,高速存储主控接口模块接收来自HOST主机的信号以及待写数据或待读数据,支持多个不同功能的存储主控接口。高速存储主控接口模块能够对接收到的信息进行解析,获得高速数据链路控制信号、地址信号、数据信号以及不同存储颗粒型号等信息。可调整缓存及控制模块与高速存储主控接口模块连接,该模块能够判断闪存颗粒所需的缓存结构及数据处理所需的页容量,选择不同的页容量的缓存类型与缓存区间,并将待写数据或待读数据写入缓存区间或从缓存区间读取出来。

写数据通道处理模块与可调整缓存及控制模块连接,接收写指令,将待写数据从所述缓存区间读取出来。读数据通道处理模块与可调整缓存及控制模块连接,产生读指令,将待读数据发送至可调整缓存及控制模块并写入缓存区间。闪存接口模块与写数据通道处理模块连接,接收写指令及待写数据,并发送至外部的闪存颗粒。同时也与读数据通道处理模块连接,接收读指令并从外部的闪存颗粒读取数据。固件控制模块与以上模块连接并进行控制。

图2 可调整缓存及控制模块框架结构

图2为可调整缓存及控制模块框架结构,该结构中的各功能模块包括了解析输入指令并控制数据处理的控制模块、数据校准模块以及可自适应调整缓存模块。其中,控制模块用于解析输入指令并控制数据处理;数据校准模块与控制模块连接;可自适应调整缓存模块与所述控制模块连接,可自适应调整缓存模块可被划分为不同容量的缓存区间。

简而言之,喻芯半导体的存储专利,通过采用可调整缓存加多通道处理架构,解决了现有技术中的一颗存储主控架构无法适用不同类型和页容量的闪存颗粒的问题,以及大幅提高存储主控架构的读写性能。

喻芯半导体专注于NAND存储芯片设计研发、存储模组设计等,致力于为全球客户提供高性能的存储芯片设计、完整的Flash相关存储产品。喻芯半导体期望与慧荣科技在未来持续合作共赢,促进和推动存储相关领域的进一步发展。

关于嘉勤

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成,熟悉中欧美知识产权法律理论和实务,在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验。

(校对/赵月)

责编: 李梅

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