旺宏升级制程，继与 IBM 合作研发PCM

12月24日，旺宏电子董事会决议通过明年新增资本支出新台币 8.65 亿元，并继续与 IBM 合作开发相变化存储器，双方将共同分担研发费用，预计对长期技术竞争力将产生正面影响。合约计划期间为2019年 1 月 22 日至 2022 年 1 月 21 日。

尽管存储器行情明年不被看好，但旺宏对于未来展望仍审慎乐观，预期高端快闪型存储器如 NOR Flash等市场仍会持续成长，产品价格应还算稳定。

董事长吴敏求于此前法说会时曾强调，将把制程从 36 纳米升级至 19 纳米，以强化 NAND Flash 的竞争力。且自 2001 年开始，旺宏就已成立前瞻技术实验室，并且投入相变化存储器的研发，2004 年与 IBM 签署“合作研发相变化非挥发性存储器”联盟协定，如今过了十几年，仍然没有放弃。

相变化存储器（Phase-change memory，PCM）是一种非挥发性存储器装置，其特色是使用硫族化物玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫属玻璃的特性是透过改变温度可以成为晶体或非晶体并具有不同的电阻，以此来储存不同的数值，是未来可能取代快闪存储器的技术之一，目前许多国际大厂如英特尔、三星等都有投入研发。

早在 2015 年旺宏就曾与 IBM 共同发表一颗 512Mb 容量的相变存储器样品。PCM 具备包括读写速度快、耐用、写入次数极高 (至少 1000 万次)、微缩性良好等优势，被预期将在存储产业的未来发展中扮演重要角色，包括手机、计算机与人工智能产业等均可因此受益。

虽然 PCM 存储器技术看似即将成熟，但到普及恐怕还需要一点时间，但为了应对新兴科技的发展，高速储存装置仍然是不可或缺的技术，也是市场关注的焦点。旺宏表示，记忆形式的储存级存储器是未来的趋势。

除与 IBM 签订合约外，旺宏董事会也通过了2019年新增经常性资本支出预算新台币 8.65 亿元。

此外，旺宏董事会于今年10月22日决议通过新增资本支出预算达新台币142.03亿元，预计自2018年第4季起陆续投资，以应对公司12英寸晶圆厂之高端产能提升及研发需求。（校对/Aki）