Elpida开发Charge Trap Flash，2011年1～3月量产

作者：碧兴 2010-09-06

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Elpida与美国Spansion日前宣布，已成功开发采用电荷撷取（Charge Trap）型记忆体单元技
术的NAND型快闪记忆体，为驱动电压1.8V、SLC（single level cell）的4Gb产品。该公司预
定于2011年1～3月正式量产，搭配Mobile DRAM采用MCP封装，针对携带型资讯产品销售。

两家公司先前曾于7月宣布，Elpida将接受Spansion的NAND型快闪记忆体技术授权，并于2011
年正式量产。此次发表则为其具体内容。

Elpida表示，此次开发的Charge Trap快闪记忆体将于广岛厂量产，其中一部份将供应Spansi
on。除4Gb产品外，目前也在著手开发1Gb与2Gb产品。至于针对Spansion的供货，目前计画于
2011年1～3月开始样品出货，2011年4～6月正式量产。除此次产品外，合作双方目前也在积极
开发驱动电压3.0V的1Gb、2Gb与4Gb NAND型快闪记忆体。

目前NAND快闪记忆体多采用浮动闸极（Floating Gate）记忆体单元。Elpida表示，该公司将
成为第一家量产电荷撷取型产品的厂商。与浮动闸极产品相较，电荷撷取型产品结构较为单纯
，不仅容易微细化，晶片尺寸也较小。而在运作速度方面，读取速度较浮动闸极产品提升1倍
，写入速度也提升了15％。